[发明专利]存储器电路、系统以及操作方法

权利要求书

1.一种存储器电路，包括：

至少一个存储单元，以电荷形式存储数据，且与一字元线与一位元线耦 接；以及

一位元线参考电位供应装置，提供一位元线参考电位给该位元线，使该 位元线参考电位与一电源电位的比值随该电源电位变动而调整，从而当该电 源电位向上漂移时，通过减小该位元线参考电位与该电源电位的比值，使得 该存储单元的逻辑数据0对应的位元电位变异下降，该存储单元的逻辑数据 1对应的位元电位变异上升，其中，下降前的该存储单元的逻辑数据0对应 的位元电位变异高于上升前的该存储单元的逻辑数据1对应的位元电位变 异。

2.根据权利要求1所述的存储器电路，其中上述位元线参考电位供应装 置包括：

一稳压器，耦接上述位元线以提供上述位元线参考电位给该位元线；以 及

一偏压供应装置，供应一偏压于该稳压器的一输入端，其中该偏压供应 装置令上述偏压与电源电位的比值会根据该电源电位调适。

3.根据权利要求2所述的存储器电路，其中，上述偏压与电源电位的比 值在该电源电压等于或大于一常态电位时以一第一变化率变化，且在该电源 电压小于该常态电位时以一第二变化率变化，且该第一变化率大于该第二变 化率。

4.根据权利要求3所述的存储器电路，其中该偏压供应装置包括：

一电位补偿电路，耦接该稳压器以提供上述偏压给该稳压器；以及

一自偏压电路，耦接该电位补偿电路，用以控制该电位补偿电路调整所 供应的上述偏压。

5.根据权利要求4所述的存储器电路，其中：

该自偏压电路包括至少一个饱和模式晶体管；

该电位补偿电路包括至少一开关，该开关耦接于该电位补偿电路的输出 端与一低电位之间；

该饱和模式晶体管经至少一个电阻耦接上述电源电位；且

该饱和模式晶体管与上述电阻的连结点耦接该电位补偿电路上述开关 的控制端，以调整上述偏压。

6.根据权利要求2所述的存储器电路，其中上述偏压供应装置包括：

一第一开关，用以耦接一第一参考电位至该稳压器；

一第二开关，用以耦接一第二参考电位至该稳压器；

一比较器，比较上述第一与第二参考电位，以控制上述第一与第二开关 的导通状态，

其中，该比较器选出上述第一、第二参考电位中较低值的参考电位，且 导通上述第一与第二开关中对应的开关。

7.根据权利要求6所述的存储器电路，其中上述第一参考电位为定值， 且上述第二参考电位随上述电源电位变动。

8.一种存储器系统，包括权利要求1所述的存储器电路、以及一处理器， 其中该处理器耦接该存储器电路以读取该存储器电路内上述存储单元所存 储的数据。

9.一种操作一存储器电路的方法，该存储器电路包括至少一个存储单元， 该存储单元以电荷方式存储数据、且耦接一字元线以及一位元线，上述方法 包括：

提供一位元线参考电位给该位元线，使该位元线参考电位与一电源电位 的比值为可调式，从而当该电源电位向上漂移时，通过减小该位元线参考电 位与该电源电位的比值，使得该存储单元的逻辑数据0对应的位元电位变异 下降，该存储单元的逻辑数据1对应的位元电位变异上升，其中，下降前的 该存储单元的逻辑数据0对应的位元电位变异高于上升前的该存储单元的逻 辑数据1对应的位元电位变异。

10.根据权利要求9所述的方法，其中上述提供位元线参考电位给该位元 线的步骤包括：

提供一偏压，以令该偏压与上述电源电位的比值为可调式；且

稳压该偏压以提供上述位元线参考电位。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，上述偏压与电源电位的比值在 该电源电压等于或大于一常态电位时以一第一变化率变化，且在该电源电压 小于该常态电位时以一第二变化率变化，且该第一变化率大于该第二变化 率。

12.根据权利要求10所述的方法，其中上述偏压与电源电位的比值至少 有两种选择。