[发明专利]非线性电路的晶体管级分段线性建模及模型降阶方法

权利要求书

1.一种非线性电路的晶体管级分段线性建模及模型降阶方法，其特征在于，其包括如下步骤：

步骤1：将非线性系统的线性化模型通过stamp方法表示为非线性电路中所有晶体管和线性元件的贡献的组合形式；

步骤2：构造每个晶体管的分段线性模型，并通过加权函数组合在一起，构成整个非线性电路的分段线性模型；

步骤3：对非线性电路的晶体管级的分段线性模型进行投影降阶，获得降阶模型。

2.按权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤1中，所述非线性系统的线性化模型表示为

C(x)d(x(t))dt+G(x)x(t)+I(x)=Bu(t)]]>

其中C和G分别是f(x)和g(x)的雅可比矩阵，I(x)＝f(x)-G(x)x。

3.按权利要求2所述的方法，其特征在于，矩阵C、G和矢量I分别表示为：

C(x)=CL+Σi=1NCmi(x)]]>

G(x)=GL+Σi=1NGmi(x)]]>

I(x)=IL+Σi=1NImi(x)]]>

其中C_L，G_L和I_L代表线性元件的贡献，Cm_i，Gm_i和Im_i表示第i个晶体管对矩阵的贡献，N表示电路中的晶体管数目；C_L和G_L是常矩阵，I_L是常向量，Cm_i，Gm_i和Im_i是关于x的函数，表示非线性元件的贡献。