[发明专利]在屏蔽的栅极场效应晶体管中形成多晶硅层间电介质的结构和方法有效
| 申请号： | 201010118650.8 | 申请日： | 2006-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN101800245A | 公开（公告）日： | 2010-08-11 |
| 发明（设计）人： | 罗伯特·赫里克;迪安·E·普罗布斯特;弗雷德·塞西诺 | 申请（专利权）人： | 飞兆半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 屏蔽 栅极 场效应 晶体管 形成 多晶 硅层间 电介质 结构 方法 | ||
1.一种场效应晶体管，包括：
沟槽，延伸至第一导电类型的硅区域中；
屏蔽电极，位于所述沟槽下部中，所述屏蔽电极通过屏 蔽电介质与所述硅区域绝缘，所述屏蔽电极具有变圆的顶角；
以及
栅电极，位于所述沟槽中，在所述屏蔽电极之上，但通 过层间电介质与所述屏蔽电极绝缘，所述栅电极沿所述栅电极 的底部具有圆形轮廓。
2.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中，所述屏蔽电极具 有圆形顶面。
3.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中，所述硅区域包括：
第一导电类型的外延层，在第一导电类型的衬底之上延 伸；
第二导电类型的阱区，位于所述外延层中；以及
第一导电类型的源区，位于所述阱区中，所述源区位于 所述沟槽侧面。
4.根据权利要求3所述的场效应晶体管，其中，所述沟槽延伸至 并且终止于所述外延层中。
5.根据权利要求3所述的场效应晶体管，其中，所述沟槽延伸穿 过所述外延层并且终止于所述衬底中。
6.一种场效应晶体管，包括：
沟槽，延伸至第一导电类型的硅区域中；
屏蔽电极，位于所述沟槽下部中，所述屏蔽电极通过屏 蔽电介质与所述硅区域绝缘，所述屏蔽电极具有变圆的顶角；
以及
栅电极，位于所述沟槽中，在所述屏蔽电极之上，但通 过层间电介质与所述屏蔽电极绝缘，所述栅电极沿着所述栅电 极的底面具有凹的轮廓。
7.根据权利要求6所述的场效应晶体管，其中，所述层间电介质 包括沿所述层间电介质的下表面和侧壁环绕共形电介质层的 热电介质。
8.根据权利要求6所述的场效应晶体管，其中，所述硅区域包括：
第一导电类型的外延层，在第一导电类型的衬底之上延 伸；
第二导电类型的阱区，位于所述外延层中；以及
第一导电类型的源区，位于所述阱区中，所述源区位于 所述沟槽侧面。
9.根据权利要求8所述的场效应晶体管，其中，所述沟槽延伸至 并且终止于所述外延层中。
10.根据权利要求8所述的场效应晶体管，其中，所述沟槽延伸穿 过所述外延层并且终止于所述衬底中。
11.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中，所述层间电介质 沿着所述层间电介质的上表面具有凹的轮廓。
12.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中，所述层间电介质 沿着所述层间电介质的下表面具有凸的轮廓。
13.根据权利要求1所述的场效应晶体管，还包括：
至少顺着所述沟槽的上部侧壁的栅极电介质，所述层间 电介质的厚度与所述栅极电介质的厚度之比大于3∶1。
14.根据权利要求6所述的场效应晶体管，包括共形电介质层，所 述共形电介质层具有沿所述层间电介质的下表面的凸的轮廓 和沿所述层间电介质的上表面的凹的轮廓。
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