[发明专利]画素结构及其驱动方法有效

专利信息
申请号: 201010118833.X 申请日: 2010-03-08
公开(公告)号: CN101763780A 公开(公告)日: 2010-06-30
发明(设计)人: 陈屏先;陈弼先 申请(专利权)人: 华映光电股份有限公司;中华映管股份有限公司
主分类号: G09F9/33 分类号: G09F9/33;G09G3/32
代理公司: 福州元创专利商标代理有限公司 35100 代理人: 蔡学俊
地址: 350015 福建*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 结构 及其 驱动 方法
【权利要求书】:

1.一种画素结构,其特征是包括:一储存电容,具有一第一端与一第二端;一数据开关晶体管,依据一扫描讯号提供一数据讯号至该储存电容的第一端;一扰动开关晶体管,当该数据开关晶体管截止时,该扰动开关晶体管提供一扰动讯号至该储存电容的第一端;一驱动晶体管,具有一第一端、一第二端与一闸极,该驱动晶体管的第一端耦接一定电压,该驱动晶体管的闸极耦接该储存电容的第二端;一显示开关晶体管,具有一第一端、一第二端与一闸极,该显示开关晶体管的第一端耦接该驱动晶体管的第二端,该显示开关晶体管的闸极接收一显示控制讯号;以及一有机发光二极管,其阳极耦接该显示开关晶体管的第二端,其阴极耦接一接地端。

2.根据权利要求1所述的画素结构,其特征是:其中该数据开关晶体管具有一第一端、一第二端与一闸极,该数据开关晶体管的第一端耦接一数据线并接收该数据讯号,该数据开关晶体管的闸极耦接一扫描线并接收该扫描讯号,该数据开关晶体管的第二端耦接该储存电容的第一端。

3.根据权利要求2所述的画素结构,其特征是:其中该扰动开关晶体管具有一第一端、一第二端与一闸极,该扰动开关晶体管的第一端接收该扰动讯号,该扰动开关晶体管的闸极耦接该扫描线并接收该扫描讯号,该扰动开关晶体管的第二端耦接该储存电容的第一端,该扰动开关晶体管与该数据开关晶体管由一P信道晶体管与一N信道晶体管所组成。

4.根据权利要求1所述的画素结构,其特征是更包括:一临界电压电容,耦接于该显示开关晶体管的第一端与闸极之间。

5.根据权利要求1所述的画素结构,其特征是更包括:一分流驱动晶体管,具有一第一端、一第二端与一闸极,该分流驱动晶体管的第一端耦接该定电压,该分流驱动晶体管的第二端耦接该驱动晶体管的第二端;以及一分流开关晶体管,具有一第一端、一第二端与一闸极,该分流开关晶体管的第一端耦接该分流驱动晶体管的闸极,该分流开关晶体管的第二端耦接该驱动晶体管的闸极,该分流开关晶体管的闸极接收该显示控制讯号。

6.根据权利要求5所述的画素结构,其特征是:其中该驱动晶体管与该显示开关晶体管配置于一画素数组之内,该分流驱动晶体管与该分流开关晶体管配置于该画素数组之外。

7.根据权利要求5所述的画素结构,其特征是:其中该扰动讯号为周期讯号,该扰动讯号以零电压位准在正周期与负周期分别进行振幅大小相同的反相扰动。

8.一种画素结构的驱动方法,其特征是:该画素结构包括一数据开关晶体管、一储存电容、一驱动晶体管与一有机发光二极管,该数据开关晶体管具有一第一端、一第二端与一闸极,该储存电容具有一第一端与一第二端,该驱动晶体管具有一第一端、一第二端与一闸极,该数据晶体管的第二端耦接该储存电容的第一端,该储存电容的第二端耦接该驱动晶体管的闸极,该驱动晶体管的第一端与第二端分别耦接一定电压与该有机发光二极管,该驱动方法,包括:依据一扫描讯号导通一数据开关晶体管;当该数据开关晶体管导通时,提供一数据讯号至该储存电容的第一端,藉以透过该驱动晶体管驱动该有机发光二极管;以及当该数据开关晶体管截止时,透过一扰动开关晶体管,提供一扰动讯号至该储存电容的第一端。

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