[发明专利]画素结构及其驱动方法

说明书

技术领域

 本发明是有关于一种画素结构，且特别是有关于一种有机发光显示器的画素结构及其驱动方法。

背景技术

使用有机发光二极管(organic light emitting diode, OLED)的有机发光显示器(organic light emitting display)由于具有自发光、高亮度、高对比、广视角以及反应速度快等优点，目前有关的研究单位无不致力于其特性与驱动电路的研究。虽然有机发光显示器具有上述的优点，但仍然有些问题亟待解决。

    图1是习知的一种画素结构的示意图。请参照图1，此画素结构使用两个晶体管(TFT_S、TFT_D)，以及一个储存电容Cs，此画素结构被称为2T1C的画素电路。晶体管TFT_S的闸极耦接扫描线GL，可依据扫描线GL提供的扫描讯号而导通。当晶体管TFT_S导通时，数据线DL的数据讯号可传递至储存电容Cs的第一端与晶体管TFT_D的闸极端，对此画素结构进行数据写入。

    晶体管TFT_D可用以控制流经OLED D1的电流Io，藉由控制闸极(Gate)电压，即可控制TFT_D源极/汲极（Source/Drain）两端的电压和电流。因晶体管TFT_D与OLED D1为串联组合，当施加一个固定的电压Vdd于TFT_D汲极时，即可透过TFT_D的源极/汲极的改变，来控制通过OLED D1的电流Io，而达成控制灰阶的目的。

    值得一提的是，晶体管TFT_D会因为制程上的误差、长时间操作或环境温度等因素，造成临界电压（Threshold Voltage）产生变异，进而使通过OLED D1的电流Io产生改变，而影响画素亮度上的表现。

    另外，若画面长时间处于白画面时，晶体管TFT_D必须持续提供大电流给OLED D1，晶体管TFT_D会长时间处于高电流应力(high current stress)，易造成劣化问题，降低使用寿命。

发明内容

本发明提供一种画素结构，可延长画素结构的寿命。

    本发明提供一种画素结构的驱动方法，可改善高电流应力造成劣化的问题。

    本发明提出一种画素结构，包括储存电容、数据开关晶体管、扰动开关晶体管、驱动晶体管、显示开关晶体管与有机发光二极管。储存电容具有第一端与第二端。数据开关晶体管可依据扫描讯号提供数据讯号至储存电容的第一端。当数据开关晶体管截止时，扰动开关晶体管可提供扰动讯号至储存电容的第一端。驱动晶体管具有第一端、第二端与闸极。驱动晶体管的第一端耦接定电压。驱动晶体管的闸极耦接储存电容的第二端。显示开关晶体管具有第一端、第二端与闸极。显示开关晶体管的第一端耦接驱动晶体管的第二端。显示开关晶体管的闸极接收显示控制讯号。有机发光二极管的阳极耦接显示开关晶体管的第二端。有机发光二极管的阴极耦接接地端。

    在本发明的一实施例中，数据开关晶体管具有第一端、第二端与闸极。数据开关晶体管的第一端耦接数据线并接收数据讯号。数据开关晶体管的闸极耦接扫描线并接收扫描讯号。数据开关晶体管的第二端耦接储存电容的第一端。

    承上述，在另一实施例中，扰动开关晶体管具有第一端、第二端与闸极。扰动开关晶体管的第一端接收扰动讯号。扰动开关晶体管的闸极耦接扫描线并接收扫描讯号。扰动开关晶体管的第二端耦接储存电容的第一端。扰动开关晶体管与数据开关晶体管由P信道晶体管与N信道晶体管所组成。

    在本发明的一实施例中，画素结构更包括临界电压电容。临界电压电容耦接于显示开关晶体管的第一端与闸极之间。

    在本发明的一实施例中，画素结构更包括分流驱动晶体管与分流开关晶体管。分流驱动晶体管具有第一端、第二端与闸极。分流驱动晶体管的第一端耦接定电压。分流驱动晶体管的第二端耦接驱动晶体管的第二端。分流开关晶体管具有第一端、第二端与闸极。分流开关晶体管的第一端耦接分流驱动晶体管的闸极。分流开关晶体管的第二端耦接驱动晶体管的闸极。分流开关晶体管的闸极接收显示控制讯号。

    在本发明的一实施例中，驱动晶体管与显示开关晶体管配置于画素数组之内。分流驱动晶体管与分流开关晶体管配置于画素数组之外。

    在本发明的一实施例中，扰动讯号为周期讯号。扰动讯号以零电压位准在正周期与负周期分别进行振幅大小相同的反相扰动。