[发明专利]半导体封装结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体封装结构的制造方法，包括：

(a)提供一基材，该基材包括至少一沟槽及至少一导电孔结构，该导电孔结构位于该沟槽内；

(b)形成一第一电容于该基材上，该第一电容包括一第一下电极、一第一介电层及一第一上电极，该第一下电极位于该基材上，该第一介电层位于该第一下电极上，该第一上电极位于该第一介电层上；

(c)形成一第一保护层，以包覆该第一电容，该第一保护层包括数个第一开口，该等第一开口显露该导电孔结构、部分该第一下电极及部分该第一上电极；

(d)形成一第一金属层于该第一保护层上，该第一金属层包括一第一电感，且直接接触该导电孔结构、该第一下电极及该第一上电极；及

(e)形成一第二保护层，以包覆该第一电感。

2.如权利要求1的方法，其中该步骤(a)中，该基材具有一第一表面及一第二表面，该沟槽贯穿该基材的第一表面及第二表面，且该导电孔结构显露于该基材的第一表面及第二表面，以形成一穿导孔结构，该步骤(b)中，该第一电容位于该基材的第一表面。

3.如权利要求1的方法，其中该步骤(a)中，该基材具有一第一表面及一下表面，该沟槽开口于该基材的第一表面，且该导电孔结构显露于该基材的第一表面，该步骤(b)中，该第一电容位于该基材的第一表面。

4.如权利要求3的方法，其中该步骤(e)之后，更包括：

(f)设置该基材于一载体上，其中该基材的第一表面面对该载体；

(g)从该基材的下表面移除部分该基材，以形成一第二表面，且显露该导电孔结构于该第二表面，以形成一穿导孔结构；

(h)形成至少一电性组件于该基材的第二表面；及

(i)移除该载体。

5.如权利要求1的方法，其中该步骤(a)中，该基材具有一上表面及一第二表面，该沟槽开口于该基材的第二表面，且该导电孔结构显露于该基材的第二表面。

6.如权利要求5的方法，其中该步骤(a)之后，更包括：

(a1)形成至少一电性组件于该基材的第二表面；

(a2)设置该基材于一载体上，其中该基材的第二表面面对该载体；及

(a3)从该基材的上表面移除部分该基材，以形成一第一表面，且显露该导电孔结构于该第一表面，以形成一穿导孔结构。

7.如权利要求6的方法，其中该步骤(b)中，该第一电容位于该基材的第一表面。

8.如权利要求6的方法，其中该步骤(e)之后，更包括一移除该载体的步骤。

9.如权利要求1的方法，其中该步骤(b)包括：

(b1)形成一第二金属层于该基材上；

(b2)形成一第三金属层于该第二金属层上，并对该第三金属层进行阳极氧化，以形成一第一氧化层；

(b3)形成一第四金属层于该第一氧化层上；

(b4)形成一第一光阻于该第四金属层上；

(b5)移除部分该第一氧化层及部分该第四金属层，以分别形成该第一介电层及该第一上电极；

(b6)移除该第一光阻；

(b7)形成一第二光阻于该第二金属层上，且包覆该第一介电层及该第一上电极；

(b8)移除部分该第二金属层，以形成该第一下电极；及

(b9)移除该第二光阻。

10.如权利要求1的方法，其中该步骤(d)包括：

(d1)形成一第一晶种层于该第一保护层上；

(d2)形成一第三光阻于该第一晶种层上，以覆盖部分该第一晶种层，且显露部分该第一晶种层；

(d3)形成一第一电镀层于被显露的部分该第一晶种层上；及

(d4)移除该第三光阻及被覆盖的部分该第一晶种层，该第一电镀层及部分该第一晶种层形成该第一金属层。