[发明专利]利用三维极化感应空穴气提高LED发光效率的方法

权利要求书

1.一种利用三维极化感应空穴气提高LED发光效率的方法，包括如下步骤：

步骤1：选择一衬底；

步骤2：在衬底上依次生长低温成核层、低温缓冲层、n型层、有源区、宽禁带势垒层和p型层，形成外延片；

步骤3：在外延片上面的一侧进行刻蚀，刻蚀深度到达n型层的表面，形成一台面；

步骤4：在该台面上制备-n电极；

步骤5：在p型层的上面，制备-p电极。

2.根据权利要求1所述的利用三维极化感应空穴气提高LED发光效率的方法，其中衬底为蓝宝石衬底、硅衬底或碳化硅衬底。

3.根据权利要求1所述的利用三维极化感应空穴气提高LED发光效率的方法，其中高温n型层为Si掺杂，其生长温度为800-1200℃，厚度为0.1-0.3um。

4.根据权利要求1所述的利用三维极化感应空穴气提高LED发光效率的方法，其中有源区是双异质结结构、单量子阱结构或者是多量子阱结构，多量子阱的个数为1-15个，阱的厚度为2-3nm，垒层厚度为5-12nm。

5.根据权利要求1所述的利用三维极化感应空穴气提高LED发光效率的方法，其中宽禁带势垒层为AlGaN材料，该势垒层生长在(0001)极性面上，其生长温度为800-1200℃，总厚度为20-60nm，其中组分沿生长方向(0001)轴线性降低。

6.根据权利要求1所述的利用三维极化感应空穴气提高LED发光效率的方法，其中该宽禁带势垒层为AlInGaN材料，该势垒层生长在(0001)极性面上，其生长温度为800-1200℃，总厚度为20-60nm，其中组分沿生长方向(0001)轴线性降低。

7.根据权利要求1所述的利用三维极化感应空穴气提高LED发光效率的方法，其中生长在宽禁带势垒层上的p型层为Mg掺杂，其生长温度为800-1200℃，厚度为100-200nm。