[发明专利]升压电路有效
申请号: | 201010119515.5 | 申请日: | 2010-02-20 |
公开(公告)号: | CN101814831A | 公开(公告)日: | 2010-08-25 |
发明(设计)人: | 大谷绫香;冈智博 | 申请(专利权)人: | 精工电子有限公司 |
主分类号: | H02M3/10 | 分类号: | H02M3/10 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 升压 电路 | ||
1.一种升压电路,其对输入的电源电压进行升压并输出,其特征在 于,该升压电路具有:
升压部,其输出第一升压电压和比所述第一升压电压高的第二升压 电压;
第一输出端子,其输出所述第一升压电压;
第二输出端子,其输出所述第二升压电压;
第一放电电路,其在所述升压部停止了升压动作后,对所述第一输 出端子的电压进行放电;以及
第二放电电路,其在所述升压部停止了升压动作后,对所述第二输 出端子的电压进行放电,
当所述第二输出端子的电压与所述第一输出端子的电压之间的电压差 为规定电压以下时,所述第二放电电路放电至所述第一输出端子的电位,
所述升压电路还具有输入控制信号的控制端子,
所述第二放电电路具有:
耗尽型NMOS晶体管,其源极与所述第一输出端子连接,漏极与所 述第二输出端子连接,栅极与所述控制端子连接,背栅与接地端子连接;
增强型PMOS晶体管,其源极以及背栅与所述第二输出端子连接, 栅极与所述第一输出端子连接;以及
增强型NMOS晶体管,其源极以及背栅与规定电位连接,漏极与所 述增强型PMOS晶体管的漏极连接,栅极与所述控制端子连接,
所述规定电压为所述增强型PMOS晶体管的阈值电压的绝对值。
2.根据权利要求1所述的升压电路,其特征在于,
所述规定电位为接地电位。
3.根据权利要求1所述的升压电路,其特征在于,
所述规定电位为电源电压。
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