[发明专利]半导体工艺、半导体组件及具有半导体组件的封装结构

权利要求书

1.一种半导体工艺，包括：

(a)提供一半导体组件，该半导体组件包括一硅基材及至少一导电孔结构，该导电孔结构位于该硅基材内；

(b)移除部分该硅基材，以形成一第一表面，使得该导电孔结构突出于该硅基材的第一表面，而形成一穿导孔结构；

(c)形成一保护层于该硅基材的第一表面，以覆盖该穿导孔结构，该保护层为感光材料，且具有一上表面；

(d)提供一光罩于该保护层的上方，以遮住部分该保护层；

(e)提供一光源，以照射未被遮住的部分该保护层；及

(f)移除部分该保护层，使得该穿导孔结构显露于该保护层的第一表面。

2.如权利要求1的工艺，其中该步骤(a)中，该硅基材具有一上表面，该步骤(b)之前，更包括一从该硅基材的上表面移除部分该硅基材，以形成一第三表面的步骤，该导电孔结构显露于该硅基材的第三表面，该步骤(b)中，从该硅基材的第三表面移除部分该硅基材，以形成该硅基材的第一表面。

3.如权利要求1的工艺，其中该步骤(c)中，该保护层包括一第一部分及一第二部分，该第一部分覆盖该穿导孔结构，该第二部分的顶部的水平高度低于该穿导孔结构的顶部的水平高度。

4.如权利要求1的工艺，其中该步骤(f)中，该保护层具有一第一表面及至少一穿孔，该穿孔贯穿该保护层，该穿导孔结构位于该保护层的穿孔内。

5.如权利要求1的工艺，其中该步骤(f)中，该穿导孔结构突出于该保护层的第一表面。

6.一种半导体组件，包括：

一硅基材，具有一第一表面及至少一沟槽，该沟槽开口于该硅基材的第一表面；

一保护层，位于该硅基材的第一表面，该保护层具有一第一表面及至少一穿孔，该穿孔贯穿该保护层；及

至少一穿导孔结构，位于该硅基材的沟槽及该保护层的穿孔内，且突出于该保护层的第一表面。

7.如权利要求6的半导体组件，其中该保护层为感光材料。

8.如权利要求6的半导体组件，其中该穿导孔结构包括一外绝缘层及一导体，该外绝缘层位于该沟槽的侧壁，定义出一第二中心槽，该导体位于该第二中心槽的侧壁。

9.如权利要求6的半导体组件，其中该穿导孔结构包括一外绝缘层及一导体，该外绝缘层位于该沟槽的侧壁，定义出一第二中心槽，该导体填满该第二中心槽。

10.如权利要求6的半导体组件，其中该穿导孔结构包括一外绝缘层、一导体及一内绝缘层，该外绝缘层位于该沟槽的侧壁，定义出一第二中心槽，该导体位于该第二中心槽的侧壁，定义出一第一中心槽，该内绝缘层填满该第一中心槽。

11.如权利要求6的半导体组件，其中该穿导孔结构具有一第一端，该第一端突出于该保护层的第一表面，且与该保护层的第一表面的距离为1μm以上。

12.一种具有半导体组件的封装结构，包括：

一基板；

一半导体组件，位于该基板上，且电性连接至该基板，包括：

一硅基材，具有一第一表面及至少一沟槽，该沟槽开口于该硅基材的第一表面；

一保护层，位于该硅基材的第一表面，该保护层具有一第一表面及至少一穿孔，该穿孔贯穿该保护层；及

至少一穿导孔结构，位于该硅基材的沟槽及该保护层的穿孔内，且突出于该保护层的第一表面；

一芯片，位于该半导体组件上，且电性连接至该半导体组件；及

一保护材，位于该基板上，包覆该半导体组件及该芯片。

13.如权利要求12的封装结构，其中该保护层为感光材料。

14.如权利要求12的封装结构，其中该穿导孔结构具有一第一端，该第一端突出于该保护层的第一表面，且与该保护层的第一表面的距离为1μm以上。