[发明专利]半导体工艺、半导体组件及具有半导体组件的封装结构

说明书

技术领域

本发明关于一种半导体工艺、半导体组件及具有半导体组件的封装结构，详言之，关于一种具有穿导孔结构的半导体组件的工艺、半导体组件及具有半导体组件的封装结构。

背景技术

参考图1及图2，显示已知半导体组件的剖面示意图及其局部放大图。该已知半导体组件1具有一硅基材11、至少一电性组件12、至少一穿导孔结构13、一保护层(Passivation Layer)14及一重布层15。该硅基材11具有一第一表面111、一第二表面112及至少一沟槽113。该沟槽113开口于该第一表面111。该电性组件12位于该硅基材11内，且显露于该硅基材11的第二表面112。该穿导孔结构13位于该硅基材11的沟槽113内。该穿导孔结构13具有一第一端131及一第二端132，该第一端131显露于该硅基材11的第一表面111，且该第二端132连接该电性组件12。该保护层14位于该硅基材11的第一表面111，该保护层14具有一表面141及至少一开口142，该开口142显露该穿导孔结构13的第一端131。该重布层15位于该保护层14的表面141及开口142，该重布层15具有至少一电性连接区域151，用以连接该穿导孔结构13的第一端131。

该已知半导体组件1的缺点如下。该保护层14的开口142利用干蚀刻(DryEtching)方式形成，而干蚀刻利用等离子体撞击欲蚀刻的表面以进行蚀刻。然而，当该保护层14逐渐被移除而显露该穿导孔结构13的第一端131时，该穿导孔结构13的第一端131所累积的电荷也逐渐增加，而开始排斥等离子体，导致等离子体减少撞击该穿导孔结构13的第一端131，而无法完全移除位于其上的保护层14。最后，部分该保护层14残留于该穿导孔结构13的第一端131，如图1及图2的区域A所示，而降低该穿导孔结构13与该重布层15电性连接的良率。此外，该穿导孔结构13的第一端131仅显露于该硅基材11的第一表面111，而未显露于该保护层14的表面141，故形成该重布层15的工艺较为复杂。

因此，有必要提供一种半导体工艺、半导体组件及具有半导体组件的封装结构，以解决上述问题。

发明内容

本发明提供一种半导体工艺。该半导体工艺包括以下步骤：(a)提供一半导体组件，该半导体组件包括一硅基材及至少一导电孔结构，该导电孔结构位于该硅基材内；(b)移除部分该硅基材，以形成一第一表面，使得该导电孔结构突出于该硅基材的第一表面，而形成一穿导孔结构；(c)形成一保护层于该硅基材的第一表面，以覆盖该穿导孔结构，该保护层为感光材料，且具有一上表面；(d)提供一光罩于该保护层的上方，以遮住部分该保护层；(e)提供一光源，以照射未被遮住的部分该保护层；及(f)移除部分该保护层，使得该穿导孔结构显露于该保护层的第一表面。

藉此，利用感光材料经一光源照射产生化学反应的特性，可完全移除位于该穿导孔结构上的部分该保护层，以确保该穿导孔结构对外电性连接的良率。

本发明更提供一种半导体组件。该半导体组件包括一硅基材、一保护层及至少一穿导孔结构。该硅基材具有一第一表面及至少一沟槽，该沟槽开口于该硅基材的第一表面。该保护层位于该硅基材的第一表面，该保护层具有一第一表面及至少一穿孔，该穿孔贯穿该保护层。该穿导孔结构位于该硅基材的沟槽及该保护层的穿孔内，且突出于该保护层的第一表面。

本发明再提供一种具有半导体组件的封装结构。该封装结构包括一基板、一半导体组件、一芯片及一保护材。该半导体组件位于该基板上，且电性连接至该基板。该半导体组件包括一硅基材、一保护层及至少一穿导孔结构。该硅基材具有一第一表面及至少一沟槽，该沟槽开口于该硅基材的第一表面。该保护层位于该硅基材的第一表面，该保护层具有一第一表面及至少一穿孔，该穿孔贯穿该保护层。该穿导孔结构位于该硅基材的沟槽及该保护层的穿孔内，且突出于该保护层的第一表面。该芯片位于该半导体组件上，且电性连接至该半导体组件。该保护材位于该基板上，包覆该半导体组件及该芯片。

藉此，该穿导孔结构突出于该保护层的第一表面，可直接对外电性连接，故省略一形成一重布层的步骤，而简化工艺。

附图说明

图1显示已知半导体组件的剖面示意图；

图2显示图1的局部放大图；

图3至图10显示本发明半导体工艺的示意图；

图11显示本发明半导体组件的第二实施例的剖面示意图；

图12显示本发明半导体组件的第三实施例的剖面示意图；及

图13显示本发明具有半导体组件的封装结构的剖面示意图。

具体实施方式