[发明专利]一种有源驱动有机电致发光器件及其制备方法无效
申请号: | 201010120794.7 | 申请日: | 2010-03-09 |
公开(公告)号: | CN101894859A | 公开(公告)日: | 2010-11-24 |
发明(设计)人: | 于军胜;李璐;蒋亚东;马柱 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 有源 驱动 有机 电致发光 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种有源驱动有机电致发光器件,包括薄膜晶体管和有机电致发光器件,其特征在于,所述薄膜晶体管和有机电致发光器件之间设置有粘接层,所述粘接层材料是需要紫外光固化有机硅胶粘剂,该胶粘剂原料包括以下组份:
光敏性的聚硅氧烷 92~99.5%
光引发剂 0.1~5%
稀释剂和助剂 0.4~6%
所述稀释剂包括甲苯、二甲苯、活性环氧树脂稀释剂、环醚、环内酯和乙烯基醚单体,助剂包括填充剂、稳定剂和交联剂;所述光引发剂包括安息香及其衍生物安息香甲醚、安息香乙醚和安息香异丙醚、苯乙酮类、二苯甲酮和2-羟基-2-甲基-1-苯基丙酮、烷基苯基酮类、α-羟烷基苯酮类、乙酰苯衍生物、二苯基碘鎓盐、二芳基碘鎓盐和三芳基碘鎓盐。
2.根据权利要求1所述的有源驱动有机电致发光器件,其特征在于,所述光敏性的聚硅氧烷包括:硫醇-烯烃官能化聚硅氧烷、丙烯酸酯化聚硅氧烷、环氧官能化聚硅氧烷、苯乙烯基聚硅氧烷以及乙烯基醚官能化聚硅氧烷。
3.根据权利要求1所述的有源驱动有机电致发光器件,其特征在于,所述粘结层是单层结构或者双层结构或者多层结构;双层结构包括:底层采用的胶粘剂,制备于柔性衬底上,顶层采用的胶粘剂,制备于底层胶粘剂上,并且底层胶粘剂浓度与顶层胶粘剂浓度相同或者不同,底层胶粘剂形成的粘结层厚度与顶层胶粘剂形成的粘结层厚度相同或者不同;多层结构是双层结构的M次重复或者是单层结构的N次重复,其中100>M>1,200>N>1。
4.一种有源驱动有机电致发光器件的制备方法,包括以下步骤:
①先对基板进行预处理;
②在基板上制备薄膜晶体管;
③在薄膜晶体管表面涂覆粘接层材料在薄膜晶体管表面涂覆粘接层材料,所述粘接层材料是需要紫外光固化有机硅胶粘剂,该有机硅胶粘剂原料包括以下组份:
光敏性的聚硅氧烷 92~99.5%
光引发剂 0.1~5%
稀释剂和助剂 0.4~6%
所述稀释剂包括甲苯、二甲苯、活性环氧树脂稀释剂、环醚、环内酯和乙烯基醚单体,助剂包括填充剂、稳定剂和交联剂;所述光引发剂包括:安息香及其衍生物安息香甲醚、安息香乙醚和安息香异丙醚、苯乙酮类、二苯甲酮和2-羟基-2-甲基-1-苯基丙酮、烷基苯基酮类、α-羟烷基苯酮类、乙酰苯衍生物、二苯基碘鎓盐、二芳基碘鎓盐和三芳基碘鎓盐;
④对粘接层进行光刻并形成图案;
⑤再将粘接层上制备有机电致发光器件;
⑥对有源驱动电致发光器件进行封装;
⑦测试器件的各项本征参数和光电性能;
对于胶粘剂的紫外光固化分别在步骤③和/或步骤⑤结束时实施。
5.根据权利要求4所述的有源驱动有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,步骤③中,粘接层直接制备于薄膜晶体管上,或者经过有机溶剂稀释后制备于薄膜晶体管上;所述粘接层是通过真空蒸镀、离子团束沉积、离子镀、直流溅射镀膜、RF溅射镀膜、离子束溅射镀膜、离子束辅助沉积、等离子增强化学气相沉积、高密度电感耦合式等离子体源化学气相沉积、触媒式化学气相沉积、磁控溅射、电镀、旋涂、浸涂、喷墨打印、辊涂、LB膜中的一种或者几种方式而形成。
6.一种有源驱动有机电致发光器件的制备方法,包括以下步骤:
①利用洗涤剂、丙酮溶液、乙醇溶液和去离子水对基板进行超声清洗,清洗后用干燥氮气吹干;
②在处理过的基板上制备薄膜晶体管;
③将同乙醇进行1∶10稀释的胶粘剂原料搅拌20小时后,旋涂在薄膜晶体管表面,转速为2000转/秒,时长一分钟,膜厚约为100纳米,胶粘剂的组份为:
聚硅氧烷 94%
光引发剂 2.5%
稀释剂和助剂 3.5%
所述稀释剂包括甲苯、二甲苯、活性环氧树脂稀释剂、环醚、环内酯和乙烯基醚单体,助剂包括填充剂、稳定剂和交联剂;所述光引发剂包括:安息香及其衍生物安息香甲醚、安息香乙醚和安息香异丙醚、苯乙酮类、二苯甲酮和2-羟基-2-甲基-1-苯基丙酮、烷基苯基酮类、α-羟烷基苯酮类、乙酰苯衍生物、二苯基碘鎓盐、二芳基碘鎓盐和三芳基碘鎓盐;
④对步骤③所得到的粘接层表面进行紫外光固化处理30秒;
⑤在粘接层上进行光刻并形成图案;
⑥在粘接层上制备有机电致发光器件;
⑦在制备有机电致发光器件后再次进行紫外光固化处理60秒;
⑧测试器件的各项光电性能和参数。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的