[发明专利]一种底栅型FED下板图形的制作方法无效
申请号: | 201010121376.X | 申请日: | 2010-03-10 |
公开(公告)号: | CN101794695A | 公开(公告)日: | 2010-08-04 |
发明(设计)人: | 李驰 | 申请(专利权)人: | 彩虹集团公司 |
主分类号: | H01J9/02 | 分类号: | H01J9/02 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 汪人和 |
地址: | 712021*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 底栅型 fed 图形 制作方法 | ||
1.一种底栅型FED下板图形的制作方法,其特征在于,该方法通过 以下步骤来实现:
1)制备感光银浆;
2)在清洁处理后的阴极玻璃基板(4)上,通过光刻法采用步骤1)中 感光银浆制作栅极层(5)的图形;
3)在制作好的栅极层(5)上,印刷制作一层或多层绝缘层图形,并 在530~590℃,烧结20~30min,得到阴极电阻层(6);
4)在上述阴极电阻层(6)上通过光刻法采用感光银浆制作一层阴极 层(7)的图形;
5)在步骤4)的基板上填充一层光刻胶(p),采用正性光刻胶或者负 性光刻胶填充:
采用负性光刻胶填充时,用印刷法直接使用相应图形的漏印版印刷至 基板上后,于90~130℃干燥10~30min;
采用正性光刻胶填充时,先用印刷法印刷以将阴极层(7)图形的基板 整面印刷一层正性光刻胶,采用75~100℃干燥8~30min后,采用相应掩 膜图形紫外灯下曝光,曝光量为50~500mJ/cm2;用当量浓度为0.26的四 甲基氢氧化铵TMAH显影液在15~25℃,显影10~50S;即可得到阴极线 条间隙填充图形;
6)制作阴极发射体(8),即碳纳米管,采用电泳、印刷或光刻方法制 作阴极发射体(8);
7)去除光刻胶(p):
填充物为正性光刻胶,采用紫外曝光法,无掩膜遮挡曝光后显影液除 去,曝光量和显影液同步骤5);
填充物为负性光刻胶,直接用质量百分比浓度为0.2~1%的Na2CO3显影 液显影10~200s除去;
即可得到完整的底栅型FED下基板结构。
2.根据权利要求1所述的一种底栅型FED下板图形的制作方法,其 特征在于,所述该感光银浆由60重量份的银单体、30重量份的甲基丙烯 酸树脂、4重量份的光引发剂2,4,6-三甲基苯甲酰基苯基膦酸乙酯、5重 量份的2,2,4-三甲基-1,3戊二醇单异丁酸酯和1重量份的高分子分散剂 BYK410混合研磨均匀构成。
3.根据权利要求1所述的一种底栅型FED下板图形的制作方法,其 特征在于,所述填充负性光刻胶,该负性光刻胶由下述重量份数的原料混 合均匀配制而成:
甲基丙烯酸树脂 80~90;
光引发剂 1~5;
2,2,4-三甲基-1,3戊二醇单异丁酸酯 5~15;
高分子分散剂 0.5~1。
4.根据权利要求1所述的一种底栅型FED下板图形的制作方法,其 特征在于,所述填充正性光刻胶,该正性光刻胶由下述重量份数的原料混 合均匀配制而成:
2-重氮-1-萘醌 5~20;
酚醛甲醛 20~60;
丙二醇甲醚醋酸酯 25~70。
5.根据权利要求3所述的一种底栅型FED下板图形的制作方法,其 特征在于,所述光引发剂为2,4,6-三甲基苯甲酰基苯基膦酸乙酯或2-甲 基-1-[4-甲硫基苯基]-2-吗啉基-1-丙酮。
6.根据权利要求3所述的一种底栅型FED下板图形的制作方法,其 特征在于,所述高分子分散剂为高分子嵌段共聚物;具体为BYK410、 BYK140、BYK2025、BYK180或BYK171。
7.根据权利要求1所述的一种底栅型FED下板图形的制作方法,其 特征在于,所述制作栅极层(5)图形或制作阴极层(7)图形包括如下步 骤:
a)清洁处理后的阴极玻璃基板(4)上,印刷一层或多层感光银浆, 制备银电极层;
b)将步骤a)中基板置于烘箱中烘烤,烘烤温度为80~120℃、烘烤 时间为10~40min,然后自然冷却;
c)采用所需栅极层(5)或阴极层(7)图形的掩膜版做掩膜,将上述 做掩膜后的基板置于紫外灯下曝光,曝光量为100~800mJ/cm2;
d)上述曝光过的基板采用质量百分比浓度为0.2~1%的Na2CO3溶液显 影,显影压力为1.5kgf/cm2,显影时间为10~50S,得到所需栅极层(5) 或阴极层(7)图形;
e)将上述处理后的栅极层或阴极层图形烧结:在500~590℃下保温 10~20min。
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