[发明专利]一种底栅型FED下板图形的制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及场发射显示器制造的技术领域，具体涉及一种场发射显示 器(Field Emission Display；FED)栅极层、介质层、阴极图形以及保 护栅极表面制作发射体的FED下板图形的制作方法。

背景技术

本发明中的场发射显示器是通过电场自发射阴极(cathode emitter) 材料上的发射体放出电子来轰击屏幕上的荧光粉，从而激活荧光粉发光。 其特点是轻、薄、亮度高、视角广、反应快。

参阅图1所示，是现有技术场发射显示器组件结构示意图。底栅型的 场发射显示器，其结构至少包括阳极和阴极，该阳极和阴极之间设置有隔 离子9，以提供阳极与阴极之间真空区域的间隔，并作为上下基板之间的 支撑。

如图1所示，该阳极，至少包含一阳极玻璃基板1、以及阳极导电层 2以及一荧光粉体层3；而该阴极，至少包含一阴极玻璃基板4、栅极层5、 阴极电阻层6、阴极层7以及阴极发射体8(即碳纳米管CNT)；其中该阳 极与阴极是由隔离子9保持真空区域，并藉由栅极和阴极之间有一个电压 差形成的电场，使得阴极上的发射体8释出电子，再经过阳极和阴极之间 的高压电场加速电子使之轰击荧光粉体而发光。

现有的FED下板制作阴极发射体8(碳纳米管CNT)时，下板中4、5、 6、7图形已经制作完毕，一般采用电泳、电镀等电学方法制作阴极发射体 8(碳纳米管CNT)或者印刷法、光刻法等直接制作发射体的方法。在这些 方法中，由于下板栅极层5表面已经裸露出，在制作阴极发射体8(碳纳 米管CNT)时，难以避免阴极发射体8(碳纳米管CNT)在栅极层5表面上 散落堆积(如图2)，在封装后三电极加上电压时出现阴极层7和栅极层5 短路的情况。

发明内容

为了克服上述不足，本发明提供一种底栅型FED下板图形的制作方法， 通过在制作发射体前对栅极表面进行保护的方法，使得栅极表面同阴极表 面得到彻底绝缘；并且将附带在光刻胶表面的碳纳米管随光刻胶一并除 去，彻底解决了发射体制作时容易导致的栅极和阴极表面短路的问题。

本发明的目的是通过下述技术方案实现的，一种底栅型FED下板图形 的制作方法，其特征在于，该方法通过以下步骤来实现：

1)制备感光银浆；

2)在清洁处理后的阴极玻璃基板上，通过光刻法采用步骤1)中感光 银浆制作栅极层图形；

3)在制作好的栅极层图形上，印刷制作一层或多层绝缘层图形，并在 530～590℃，烧结20～30min，得到阴极电阻层；

4)在上述阴极电阻层上通过光刻法采用感光银浆制作一层阴极层图 形；

5)在上述步骤4)的基板上填充一层光刻胶p，采用正性光刻胶或者 负性光刻胶填充：

采用负性光刻胶填充阴极间隙时，用印刷法直接使用相应图形的漏印 版印刷至基板上后，于90～130℃干燥10～30min；

采用正性光刻胶填充阴极间隙时，先用印刷法印刷以将阴极图形的基 板整面印刷一层正性光刻胶，采用75～100℃干燥8～30min后，采用相应 掩膜图形紫外灯下曝光，曝光量为50～500mJ/cm²；用当量浓度为0.26的 四甲基氢氧化铵TMAH显影液在15～25℃，显影10～50S；即可得到阴极 线条间隙填充图形；

6)制作阴极发射体，采用电泳、印刷或光刻方法制作阴极发射体；

7)去除光刻胶p：

填充物为正性光刻胶，采用紫外曝光法，无掩膜遮挡曝光后显影液除 去，曝光量和显影液同步骤5)；

填充物为负性光刻胶，直接用质量百分比浓度为0.2～1％的Na₂CO₃显影 液显影10～200s除去；

即可得到完整的底栅型FED下基板结构。

所述感光银浆由下述重量份数的原料制备而成：

银单体                             50～80；

甲基丙烯酸树脂                     10～30；

光引发剂                           1～5；

2，2，4-三甲基-1，3戊二醇单异丁    5～15；

高分子分散剂                       0.5～1。