[发明专利]半导体发光器件

权利要求书

1.一种半导体发光器件，包括：

包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层的发光结构；

在所述发光结构之下沿所述发光结构外周部分形成的第一隔离层；

形成在所述第一隔离层之下的金属层；

形成在所述金属层之下的第二隔离层，和

在所述第二导电半导体层之下形成的第二电极层，

其中所述第一隔离层具有在所述发光结构之下插入所述发光结构外 周部分和所述金属层之间的内部部分以及在所述发光结构之下暴露于所 述发光结构外侧的外部部分，和

其中所述第一隔离层由导电透光材料形成。

2.权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述第一隔离层比所述第二 电极层厚。

3.权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述第一隔离层比所述第二 隔离层厚。

4.权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述第一隔离层比所述金属 层厚。

5.权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述第一隔离层由选自ITO、 IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO和ATO中的至少一种材料形 成。

6.权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述金属层由包括选自Ag、 Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf及其组合的材料的至 少一层形成。

7.权利要求1所述的半导体发光器件，还包括在所述第二电极层和所述 第二隔离层之下形成的导电支撑构件。

8.权利要求1所述的半导体发光器件，还包括在所述第一导电半导体层 上形成的第一电极层。

9.权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述第二隔离层由由选自 ITO、IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO、ATO、SiO₂、SiO_x、 SiO_xN_y、Si₃N₄、Al₂O₃和TiO₂中的至少一种材料形成。

10.权利要求9所述的半导体发光器件，其中所述第一隔离层由与所述第 二隔离层的材料不同的材料形成。

11.一种半导体发光器件封装，其包括权利要求1至10中任一项所述的 半导体发光器件。

12.一种背光单元，其包括权利要求1至10中任一项所述的半导体发光 器件。

13.一种照明装置，其包括权利要求1至10中任一项所述的半导体发光 器件。