[发明专利]半导体发光器件

说明书

背景技术

实施方案涉及半导体发光器件及其制造方法。

第III-V族氮化物半导体由于其物理和化学特性作为发光二极管 (LED)或激光二极管(LD)的核心材料而受到关注。例如，第III-V 族氮化物半导体包括具有组成式In_xAl_yGa_1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1和0 ≤x+y≤1)的半导体材料。

LED是一种利用化合物半导体的特性将电转变成光从而发射信号 的半导体器件，LED用作光源。

使用这类氮化物半导体的LED或LD主要用于发光器件以获得光， 并且已经作为光源应用于各种设备(例如移动电话的键盘的发光部分、 电子公告板和照明设备)。

发明内容

实施方案提供一种半导体发光器件及其制造方法，其能够防止从发 光结构横向侧引起的光效率损失。

实施方案涉及一种半导体发光器件及其制造方法，其能够通过在隔 离层之间插入金属层而防止分层和断裂。

根据一个实施方案，半导体发光器件包括：包括第一导电半导体层、 有源层和第二导电半导体层的发光结构；在所述发光结构下沿所述发光 结构的外周部分形成的多个隔离层；插入所述隔离层之间的金属层；和 在所述发光结构之下形成的第二电极层。

根据一个实施方案，半导体发光器件包括：包括第一导电半导体层、 有源层和第二导电半导体层的发光结构；在所述发光结构之下沿所述发 光结构的外周部分设置的第一隔离层；设置在所述第一隔离层之下的金 属层；设置在所述金属层之下的第二隔离层；和设置在所述发光结构之 下的第二电极层。

根据一个实施方案，一种制造半导体发光器件的方法如下：形成包 括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层的发光结构；沿所述 发光结构的外周部分形成第一隔离层；在所述第一隔离层上形成金属 层；在所述金属层上形成第二隔离层；在所述发光结构和所述第二隔离 层上形成第二电极层。

如上所述，根据实施方案，可以提高发光结构和其它层之间的粘合 强度。

根据实施方案，可以提高半导体发光器件的光提取效率，并且可以 防止分层。

附图说明

图1是显示根据一个实施方案的半导体发光器件的截面视图；和

图2～9是依次显示根据该实施方案的半导体发光器件的制造工艺的 截面视图。

具体实施方式

在实施方案的说明中，应当理解，当称层(或膜)、区域、图案或结构 在另一衬底、另一层(或膜)、另一区域、另一垫或另一图案的“上/上方” 或“下/下方”时，其可以“直接”或“间接”位于所述另一基底、层(或 膜)、区域、垫或图案之上/下，或者也可以存在一个或更多个中间层。这 种层的位置是参照附图描述的。

在关于实施方案的说明中，附图中显示的元件的厚度或尺寸仅用于举 例说明的目的，但是实施方案不限于此。

下文将关于附图描述实施方案。

图1是显示根据实施方案的半导体发光器件100的视图。

参照图1，根据一个实施方案的半导体发光器件100包括发光结构110、 第一电极层119、第一隔离层120、金属层122、第二隔离层124、第二电 极层130和导电支撑构件140。

发光结构110包括第一导电半导体层111、有源113和第二导电半导体 层115。有源层113置于第一和第二导电半导体层111和115之间。

第一导电半导体层111可以通过使用掺杂有第一导电掺杂剂的至少一 个半导体层来实现。例如，第一导电半导体层111可以通过使用第III-V 族化合物半导体来实现。换言之，第一导电半导体层111可由GaN、InN、 AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN和AlInN中的至少一种形成。如果第一 导电半导体层111是N型半导体层，则第一导电掺杂剂可以为N型掺杂剂。 例如，所述N型掺杂剂可以选自第V族元素。

第一导电半导体层111可以设置为其上具有有预定图案的第一电极层 119。此外，可以在第一导电半导体层111的部分顶表面上或第一导电半导 体层111的整个部分的顶表面上形成凹凸状粗糙结构。