[发明专利]OLED照明基板、OLED照明器件及其制造方法无效
申请号: | 201010122566.3 | 申请日: | 2010-03-12 |
公开(公告)号: | CN101840998A | 公开(公告)日: | 2010-09-22 |
发明(设计)人: | 曹绪文;何基强 | 申请(专利权)人: | 信利半导体有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 逯长明;王宝筠 |
地址: | 516600 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | oled 明基 照明 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种OLED照明基板,包括层叠设置的阳极、有机功能层和阴极,其特征在于,所述阳极包括至少两个用于对所述阳极上的电流进行分流的分支阳极。
2.根据权利要求1所述的OLED照明基板,其特征在于,所述分支阳极的线宽范围为50~50000微米。
3.根据权利要求1所述的OLED照明基板,其特征在于,相邻两所述分支阳极间的距离范围为5~10000微米。
4.根据权利要求1所述的OLED照明基板,其特征在于,所述分支阳极为透明氧化物导电层或者透明金属层。
5.根据权利要求1至4中任意一项所述的OLED照明基板,其特征在于,每个所述分支阳极在朝向所述有机功能层的表面上还覆盖有辅助电极层,所述辅助电极层的线宽小于所述分支阳极的线宽。
6.根据权利要求5所述的OLED照明基板,其特征在于,所述辅助电极层的线宽范围为1~10000微米。
7.根据权利要求5所述的OLED照明基板,其特征在于,所述辅助电极层的材料为下列中的一种或几种的组合:
Mo,Cr,Cu,Ag,Al,Au,Ti。
8.根据权利要求5所述的OLED照明基板,其特征在于,在所述分支阳极和所述辅助电极层形成的台阶上且靠近两相邻分支阳极处还覆盖有阴极隔离层。
9.根据权利要求8所述的OLED照明基板,其特征在于,所述阴极隔离层的截面形状为倒梯形。
10.根据权利要求9所述的OLED照明基板,其特征在于,所述阴极隔离层在靠近所述台阶处的线宽范围为2~100微米;所述阴极隔离层在靠近所述有机功能层处的线宽比所述靠近台阶处的线宽大2~100微米;所述阴极隔离层的厚度范围为2~10微米。
11.根据权利要求8所述的OLED照明基板,其特征在于,所述阴极隔离层的材料为光刻胶。
12.一种OLED照明器件,其特征在于,包括如权利要求1至11中任意一项所述的OLED照明基板。
13.一种OLED照明基板的制造方法,其特征在于,包括:
在玻璃基板上形成阳极材料层;
对所述阳极材料层刻蚀形成阳极,所述阳极包括至少两个用于对所述阳极上的电流进行分流的分支阳极;
依次形成有机功能层和阴极覆盖在所述分支阳极上,形成OLED照明基板。
14.根据权利要求13所述的方法,其特征在于,在所述对所述阳极材料层刻蚀形成阳极之前,还包括:
在所述阳极材料层上形成辅助电极材料层;
对所述辅助电极材料层刻蚀形成辅助电极层。
15.根据权利要求14所述的方法,其特征在于,在所述依次形成有机功能层和阴极覆盖在所述分支阳极上之前,还包括:
涂布光刻胶覆盖在所述分支阳极和所述辅助电极层上,曝光并清洗后形成阴极隔离层,所述阴极隔离层覆盖在分支阳极和所述辅助电极层形成的台阶上且靠近两相邻分支阳极处;
所述依次形成有机功能层和阴极覆盖在所述分支阳极上,具体为:
依次形成有机功能层和阴极覆盖在所述分支阳极、所述辅助电极层及所述阴极隔离层上。
16.一种OLED照明器件的制造方法,其特征在于,包括:
在玻璃基板上形成阳极材料层;
对所述阳极材料层刻蚀形成阳极,所述阳极包括至少两个用于对所述阳极上的电流进行分流的分支阳极;
依次形成有机功能层和阴极覆盖在所述分支阳极上,形成OLED照明基板;
将OLED照明基板与后盖封合,形成OLED照明器件。
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