[发明专利]OLED照明基板、OLED照明器件及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种OLED照明基板、OLED照明器件及其制造方法。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)照明具有能耗低、能平面化、大面积化等诸多优点，是正在蓬勃发展的下一代照明技术。

OLED照明器件的结构如图1所示，包括：基板1和后盖2，其中，基板1上沉积有阳极3、阳极3上非常薄的多层有机功能层4，以及位于有机功能层4上的阴极5。OLED的发光原理就在阴极5、阳极3之间加直流电驱动而使有机功能层4发光。

现有技术中，基板1上的阳极3制作比较简单，如图2所示，直接蒸镀或沉积形成整体的大面积阳极3。此方法虽然简单，但是由于阳极上会出现电流聚集效应，而现有技术中的阳极会使得电流聚集时产生的电流强度很大，进而会带来较强的电流聚集效应，例如产生的大电流导致电极被烧坏，发生阴阳极短路以及发光不均匀等问题。

发明内容

本发明实施例提供一种OLED照明基板、OLED照明器件及其制造方法，能够减弱阳极上的电流聚集效应。

为了解决上述技术问题，本发明实施例的技术方案如下：

一种OLED照明基板，包括层叠设置的阳极、有机功能层和阴极，所述阳极包括至少两个用于对所述阳极上的电流进行分流的分支阳极。

进一步，所述分支阳极的线宽范围为50～50000微米。

进一步，相邻两所述分支阳极间的距离范围为5～10000微米。

进一步，所述分支阳极为透明氧化物导电层或者透明金属层。

进一步，每个所述分支阳极在朝向所述有机功能层的表面上还覆盖有辅助电极层，所述辅助电极层的线宽小于所述分支阳极的线宽。

进一步，所述辅助电极层的线宽范围为1～10000微米。

进一步，所述辅助电极层的材料为下列中的一种或几种的组合：

Mo，Cr，Cu，Ag，Al，Au，Ti。

进一步，在所述分支阳极和所述辅助电极层形成的台阶上且靠近两相邻分支阳极处还覆盖有阴极隔离层。

进一步，所述阴极隔离层的截面形状为倒梯形。

进一步，所述阴极隔离层在靠近所述台阶处的线宽范围为2～100微米；所述阴极隔离层在靠近所述有机功能层处的线宽比所述靠近台阶处的线宽大2～100微米；所述阴极隔离层的厚度范围为2～10微米。

进一步，所述阴极隔离层的材料为光刻胶。

一种OLED照明器件，包括如上所述的OLED照明基板。

一种OLED照明基板的制造方法，包括：

在玻璃基板上形成阳极材料层；

对所述阳极材料层刻蚀形成阳极，所述阳极包括至少两个用于对所述阳极上的电流进行分流的分支阳极；

依次形成有机功能层和阴极覆盖在所述分支阳极上，形成OLED照明基板。

进一步，在所述对所述阳极材料层刻蚀形成阳极之前，还包括：

在所述阳极材料层上形成辅助电极材料层；

对所述辅助电极材料层刻蚀形成辅助电极层。

进一步，在所述依次形成有机功能层和阴极覆盖在所述分支阳极上之前，还包括：

涂布光刻胶覆盖在所述分支阳极和所述辅助电极层上，曝光并清洗后形成阴极隔离层，所述阴极隔离层覆盖在分支阳极和所述辅助电极层形成的台阶上且靠近两相邻分支阳极处；

所述依次形成有机功能层和阴极覆盖在所述分支阳极上，具体为：

依次形成有机功能层和阴极覆盖在所述分支阳极、所述辅助电极层及所述阴极隔离层上。

一种OLED照明器件的制造方法，包括：

在玻璃基板上形成阳极材料层；

对所述阳极材料层刻蚀形成阳极，所述阳极包括至少两个用于对所述阳极上的电流进行分流的分支阳极；

依次形成有机功能层和阴极覆盖在所述分支阳极上，形成OLED照明基板；

将OLED照明基板与后盖封合，形成OLED照明器件。

本发明实施例通过将现有技术中整体形成的阳极用至少两个分支阳极来代替，从而细化了电极，增加了各分支阳极上的电阻，分支阳极起到了分流作用，即使出现电流聚集，分支阳极上产生的汇聚电流强度也会大大减弱，从而减弱了电流聚集效应，减少阴阳极容易短路，电极容易被烧坏，以及发光不均匀等问题。

附图说明

通过附图所示，本发明的上述及其它目的、特征和优势将更加清晰。在全部附图中相同的附图标记指示相同的部分。并未刻意按实际尺寸等比例缩放绘制附图，重点在于示出本发明的主旨。

图1是现有技术中OLED照明器件的结构示意图；