[发明专利]一种高密度低寄生的电容装置

权利要求书

1.一种高密度低寄生的电容装置，具有A端口和B端口，其特征在 于，该电容装置还包括：

一个由多晶硅栅(10)、栅氧及连接到一起的源(17)、漏(18)和N 阱(19)构成的PMOS电容(16)，其中源(17)、漏(18)和N阱(19) 连接到电容装置的A端口，多晶硅栅(10)连接到电容装置的B端口；

多晶硅栅(10)与第一层金属(11)之间的第一电容，其中第一层金 属(11)连接到电容装置的A端口；

同一层金属(12)之间的第二电容，其中该同一层金属(12)由金属 方块阵列构成，每一个金属方块与其相邻的金属方块分别通过通孔连接到 电容装置的A端口和B端口；

通孔与通孔之间的第三电容，其中每个通孔与其相邻的通孔分别连接 到电容装置的A端口和B端口；

MIM电容，其中MIM电容具有上极板(15)和下极板(14)，上极 板(15)和下极板(14)分别连接到电容装置的A端口和B端口；

其中，第一电容、第二电容、第三电容以及MIM电容都制作在PMOS 电容之上。

2.根据权利1所述的高密度低寄生的电容装置，其特征在于，所述 多晶硅栅(10)与第一层金属(11)之间的第一电容、同一层金属(12) 之间的第二电容、通孔与通孔之间的第三电容，以及MIM电容都制作在 PMOS电容(16)之上。

3.根据权利2所述的高密度低寄生的电容装置，其特征在于，所述 MIM电容的下极板(14)是完整的金属面，所述第一层金属(11)是完整 的金属面，而中间各层金属层由金属方块阵列构成。

4.根据权利1所述的高密度低寄生的电容装置，其特征在于，所述 PMOS电容(16)由NMOS电容(36)代替，该NMOS电容(36)由多 晶硅栅(30)、栅氧及连接到一起的源(37)、漏(38)构成。

5.根据权利1所述的高密度低寄生的电容装置，其特征在于，所述 PMOS电容(16)由第四电容(46)代替，该第四电容(46)由多晶硅栅 (40)、栅氧及N阱(47)构成。