[发明专利]一种互补金属氧化物半导体器件结构的制作方法有效
| 申请号： | 201010124565.2 | 申请日： | 2010-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN102194752A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 吴永玉;神兆旭;何学缅;居建华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092;H01L27/105;H01L27/04 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 互补 金属 氧化物 半导体器件 结构 制作方法 | ||
1.一种互补金属氧化物半导体器件结构的制作方法，包括：
a：提供衬底(201)，所述衬底(201)包括第一区域(204A)和第二区域(204B)，在所述衬底(201)上形成栅介电层(205)和位于所述栅介电层(205)之上的栅极材料层(206)；
b：对相应于所述第二区域(204B)上的栅极材料层(206)进行n型离子预掺杂；
c：对相应于所述第一区域(204A)上的栅极材料层(206)进行p型离子预掺杂；
d：形成互补金属氧化物半导体器件结构的后续结构；
其中，在步骤a与步骤b之间对所述栅极材料层(206)进行p型离子少剂量注入工艺或在步骤b与步骤c之间对所述栅极材料层(206)进行p型离子少剂量注入工艺。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述p型离子少剂量注入工艺采用的能量为1～5Kev。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述p型离子少剂量注入工艺采用的能量为2～3.5Kev。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述p型离子少剂量注入工艺采用的剂量为1×1012～1×1015cm-2。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述p型离子少剂量注入工艺采用的剂量为1×1013～1×1014cm-2。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述p型离子为硼离子。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述n型离子为选自磷离子或砷离子。
8.一种包含具有如权利要求1所述的方法制造的互补金属氧化物半导体器件结构的半导体器件的集成电路，其中所述集成电路选自随机存取存储器、动态随机存取存储器、同步随机存取存储器、静态随机存取存储器、只读存储器、可编程逻辑阵列、专用集成电路、掩埋式DRAM和射频器件。
9.一种包含具有如权利要求1所述的方法制造的互补金属氧化物半导体器件结构的半导体器件的电子设备，其中所述电子设备选自个人计算机、便携式计算机、游戏机、蜂窝式电话、个人数字助理、摄像机和数码相机。
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