[发明专利]制作半导体器件间隙壁的方法有效
| 申请号： | 201010124693.7 | 申请日： | 2010-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN102194677A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 沈满华;黄敬勇;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/311;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制作 半导体器件 间隙 方法 | ||
1.一种制作半导体器件间隙壁的方法，所述方法依次包括下列步骤：
提供一衬底，该衬底的表面具有栅极结构；
在所述衬底及所述栅极结构上形成氧化物层；
在所述氧化物层上形成间隙壁材料层；以及
使用包含碳氟化合物和惰性气体但不包含氧气的刻蚀气体对所述氧化物层和所述间隙壁材料层进行刻蚀，以形成间隙壁，
其中，所述碳氟化合物与所述惰性气体的流速比为0.1-1。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述间隙壁材料层包含氮化硅、富含硅的氮化物、氮氧化硅和富含硅的氮氧化物中的一种或多种物质。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述碳氟化合物为碳/氟比小于等于0.5的化合物。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述碳氟化合物的流速为50-500sccm。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述惰性气体的流速为500-1000sccm。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述惰性气体的流速为700-1000sccm。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述碳氟化合物与所述惰性气体的流速比为0.1-0.5。
8.一种包含通过如权利要求1所述的方法制造的半导体器件间隙壁的集成电路，其中所述集成电路选自随机存取存储器、动态随机存取存储器、同步随机存取存储器、静态随机存取存储器、只读存储器、可编程逻辑阵列、专用集成电路、掩埋式DRAM和射频电路。
9.一种包含通过如权利要求1所述的方法制造的半导体器件间隙壁的电子设备，其中所述电子设备选自个人计算机、便携式计算机、游戏机、蜂窝式电话、个人数字助理、摄像机和数码相机。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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