[发明专利]存储器有效

专利信息
申请号: 201010125875.6 申请日: 2010-03-08
公开(公告)号: CN102194518A 公开(公告)日: 2011-09-21
发明(设计)人: 杨光军;肖军 申请(专利权)人: 上海宏力半导体制造有限公司
主分类号: G11C16/06 分类号: G11C16/06;G11C16/10;G11C16/14
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 李丽
地址: 201203 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 存储器
【权利要求书】:

1.一种存储器,包括若干个存储区域;电荷泵,用于提供编程/擦除参考电压,其特征在于,还包括:

分压单元,包括若干个分别相应于所述存储区域的存储区域分压单元;

预译码单元,根据输入其的地址信号,选择相应的存储区域分压单元,所述被选择的存储区域分压单元将所述电荷泵提供的编程/擦除参考电压分压后作为提供给相应的存储区域的编程/擦除电压输出。

2.如权利要求1所述的存储器,其特征在于,所述分压单元还包括电压输出端,所述编程/擦除电压通过所述电压输出端输出。

3.如权利要求1所述的存储器,其特征在于,所述存储器包括若干存储阵列,其中,每一存储阵列为一个存储区域。

4.如权利要求1所述的存储器,其特征在于,所述存储器包括若干存储阵列,各存储阵列分别包括若干扇区,其中,每一存储阵列的每一扇区为一个存储区域。

5.如权利要求1所述的存储器,其特征在于,所述存储器包括若干存储阵列,各存储阵列分别包括若干扇区,各扇区分别包括若干页,其中,每一存储阵列的每一扇区的每一页为一个存储区域。

6.如权利要求2所述的存储器,其特征在于,所述每一存储区域分压单元包括第一电阻,第一MOS晶体管,第一控制单元;

其中,所述第一电阻并联于所述第一MOS晶体管的栅极与源极,第一MOS晶体管的漏极与所述电压输出端连接,所述第一MOS晶体管的源极与所述电荷泵的输出端连接;

所述第一控制单元与所述第一MOS晶体管的栅极连接,用于在所述存储区域分压单元被选择时控制该第一MOS晶体管的开启。

7.如权利要求2所述的存储器,其特征在于,所述每一存储区域分压单元包括:

编程分压单元,包括编程电压输入端,在所述存储区域分压单元被选择时将所述编程电压输入端的电压分压后输出至所述电压输出端;

擦除分压单元,包括擦除电压输入端,在所述存储区域分压单元被选择时将所述擦除电压输入端的电压分压后输出至所述电压输出端;

开关单元,在编程操作时将所述电荷泵的输出端与所述编程电压输入端连接,在擦除操作时将所述电荷泵的输出端与所述擦除电压输入端连接。

8.如权利要求7所述的存储器,其特征在于,所述编程分压单元包括第二电阻,第二MOS晶体管,第二控制单元;

其中,第二电阻并联于所述第二MOS晶体管的栅极与源极,第二MOS晶体管的漏极与所述电压输出端连接,所述第二MOS晶体管的源极为所述编程电压输入端;

所述第二控制单元与所述第二MOS晶体管的栅极连接,用于在所述存储区域分压单元被选择时控制所述第二MOS晶体管的开启。

9.如权利要求7所述的存储器,其特征在于,所述擦除分压单元包括第三电阻,第三MOS晶体管,第三控制单元;

其中,所述第三电阻并联于所述第三MOS晶体管的栅极与源极,第三MOS晶体管的漏极与所述电压输出端连接,所述第三MOS晶体管的源极为所述擦除电压输入端;

所述第三控制单元与所述第三MOS晶体管的栅极连接,用于在所述存储区域分压单元被选择时控制所述第三MOS晶体管的开启。

10.如权利要求1所述的存储器,其特征在于,所述编程/擦除参考电压与编程/擦除电压的电压差范围为0.1~0.5V。

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