[发明专利]存储器

说明书

技术领域

本发明涉及一种存储器，尤其涉及一种闪速存储器。

背景技术

近年来，随着半导体存储器的迅速发展，DRAM、EEPROM、快闪存储器等先进存储器由于具有高密度、低功耗和低价格的优点，已经广为使用。在使用存储器时，对存储器进行编程、擦除时，需要对存储器提供编程、擦除电压对存储器进行编程和擦除。

图1为现有的存储器的结构示意图，参考图1，现有的存储器包括若干个存储阵列103，分别为存储阵列1、存储阵列2……存储阵列n；行译码器102，与所述若干存储阵列103连接；电荷泵101，与所述行译码器102连接，在对存储器进行编程/擦除操作时，电荷泵101通过所述行译码器102向对应的存储阵列提供编程/擦除电压，可以完成对相应的存储阵列的编程/擦除。

现有技术的存储器向各个存储阵列提供的编程电压/擦除电压相同，然而，在对存储阵列进行编程/擦除时，由于不同存储阵列(Array)的存储单元(cell)的编程特性/擦除特性不完全相同，所需的编程电压/擦除电压并不相同，随着编程/擦除次数的增加，可能会造成某些存储阵列的遂穿氧化层(tunnelingoxide)的退化，从而使存储器的使用寿命(即耐疲劳性)降低，存储器的数据保存时间(即保持性)缩短。此外，该现有技术的存储器，通过电荷泵向所有的存储阵列提供相同的编程/擦除电压，这样也不利于对存储器的编程/擦除电压进行优化，而且存储器的可靠性低。

申请号为200810204966.1的中国专利申请公开了一种存储器的擦除方法，在存储器开始使用时，给定一个初始的工作电压，随着编程/擦除次数的增加而改变擦除循环的工作电压。该专利申请提高了存储器的耐疲劳性，但没有改善存储器的保持性以及可靠性。

发明内容

本发明解决的是现有技术的存储器，向所有的存储阵列提供相同的编程/擦除电压，会降低存储器的耐疲劳性、保持性和可靠性的问题。

为解决上述问题，本发明提供一种存储器，包括若干个存储区域；电荷泵，用于提供编程/擦除参考电压；

分压单元，包括若干个分别相应于所述存储区域的存储区域分压单元；

预译码单元，根据输入其的地址信号，选择相应的存储区域分压单元，所述被选择的存储区域分压单元将所述电荷泵提供的编程/擦除参考电压分压后作为提供给相应的存储区域的编程/擦除电压输出。

可选的，所述分压单元还包括电压输出端，所述编程/擦除电压通过所述电压输出端输出。

可选的，所述存储器包括若干存储阵列，其中，每一存储阵列为一个存储区域。

可选的，所述存储器包括若干存储阵列，各存储阵列分别包括若干扇区，其中，每一存储阵列的每一扇区为一个存储区域。

可选的，所述存储器包括若干存储阵列，各存储阵列分别包括若干扇区，各扇区分别包括若干页，其中，每一存储阵列的每一扇区的每一页为一个存储区域。

可选的，所述每一存储区域分压单元包括第一电阻，第一MOS晶体管，第一控制单元；

其中，所述第一电阻并联于所述第一MOS晶体管的栅极与源极，第一MOS晶体管的漏极与所述电压输出端连接，所述第一MOS晶体管的源极与所述电荷泵的输出端连接；

所述第一控制单元与所述第一MOS晶体管的栅极连接，用于在所述存储区域分压单元被选择时控制该第一MOS晶体管的开启。

可选的，所述每一存储区域分压单元包括：

编程分压单元，包括编程电压输入端，在所述存储区域分压单元被选择时将所述编程电压输入端的电压分压后输出至所述电压输出端；

擦除分压单元，包括擦除电压输入端，在所述存储区域分压单元被选择时将所述擦除电压输入端的电压分压后输出至所述电压输出端；

开关单元，在编程操作时将所述电荷泵的输出端与所述编程电压输入端连接，在擦除操作时将所述电荷泵的输出端与所述擦除电压输入端连接。

可选的，所述编程分压单元包括第二电阻，第二MOS晶体管，第二控制单元；

其中，第二电阻并联于所述第二MOS晶体管的栅极与源极，第二MOS晶体管的漏极与所述电压输出端连接，所述第二MOS晶体管的源极为所述编程电压输入端；

所述第二控制单元与所述第二MOS晶体管的栅极连接，用于在所述存储区域分压单元被选择时控制所述第二MOS晶体管的开启。

可选的，所述擦除分压单元包括第三电阻，第三MOS晶体管，第三控制单元；

其中，所述第三电阻并联于所述第三MOS晶体管的栅极与源极，第三MOS晶体管的漏极与所述电压输出端连接，所述第三MOS晶体管的源极为所述擦除电压输入端；