[发明专利]一种基于互补型SCR的静电放电防护电路

权利要求书

1.一种基于互补型SCR的静电放电防护电路，用于防护核心电路输入/输出端、正电源线、负电源线三者之间的静电放电，其特征在于，包括：

电源箝位单元，两端分别连接正电源线和负电源线，用于正电源线和负电源线之间的静电放电防护；

相互连接的PNPNP型双向SCR和NPNPN型双向SCR，其中PNPNP型双向SCR的两个连接端子分别连接正电源线和核心电路的输入/输出端，用于正电源线与核心电路的输入/输出端之间的静电放电防护；NPNPN型双向SCR的两个连接端子分别连接负电源线和核心电路的输入/输出端，用于负电源线和核心电路的输入/输出端之间的静电放电防护。

2.根据权利要求1所述的静电放电防护电路，其特征在于：

所述的PNPNP型双向SCR包括第一P型衬底(101)，第一P型衬底(101)内设有第一N型埋层(102)，第一N型埋层(102)上注有第一P阱(103)，第一P阱(103)侧面和第一P型衬底(101)之间注有与第一P阱(103)结深相同的环形的第一N阱(104)，第一P阱(103)内注有第一N型漂移区(105a)和第二N型漂移区(105b)，第一N型漂移区(105a)内设有第一P+注入区(107)和第一N+注入区(106)，第二N型漂移区(105b)内设有第二P+注入区(108)和第二N+注入区(109)，其中第一P+注入区(107)和第二P+注入区(108)位于内侧，第一N型漂移区和第二N型漂移区之间的第一P阱(103)上设有第五P+注入区(110)，第一P型衬底(103)、第一N阱(104)和第一P阱(101)上均覆有氧化隔离层；

所述的NPNPN型双向SCR包括第二P型衬底(201)，第二P型衬底(201)内设有第二N型埋层(202)，第二N型埋层(202)上注有第二P阱(203)和第三P阱(205)，第二P阱(203)和第三P阱(205)被设于第二P型衬底(201)内的与它们结深相同的第二N阱(204)包围，第二P阱(203)内设有第三N+注入区(207)和第三P+注入区(206)；第三P阱(205)内设有第四N+注入区(208)和第四P+注入区(209)，其中第三N+注入区(207)和第四N+注入区(208)位于内侧，第三P阱(203)和第三P阱(205)之间的第二N阱(204)内注有第五N+注入区(210)，第二P型衬底(201)、第二P阱(203)、第三P阱(205)以及第二N阱(204)上覆有氧化隔离层；

第五N+注入区(210)和第五P+注入区(110)相互连接，第一N+注入区(106)和第一P+注入区(107)连接至正电源线，第四N+注入区(208)和第四P+注入区(209)连接负电源线，第二N+注入区(109)、第三N+注入区(208)、第二P+注入区(108)以及第三P+注入区(209)连接核心电路的输入/输出端。

3.根据权利要求1所述的静电放电防护电路，其特征在于，所述的电源箝位单元包括：

一个由电容和电阻串联组成的RC检测电路；

一个由第一NMOS管(302)和PMOS管(301)组成的反相器；

一个用于泄放ESD的第二NMOS管(303)；

RC检测电路的电阻端、PMOS管(301)的衬底和源极以及第二NMOS(302)管的漏极连接正电源线，RC检测电路的电容端、第一NMOS管(302)的衬底和源极以及第二NMOS管(303)的衬底和源极连接负电源线，第二NMOS管(303)的栅极连接PMOS管(301)和第一NMOS管(302)的漏极。

4.根据权利要求3所述的静电放电防护电路，其特征在于：所述的RC检测电路的RC时间常数为0.1～0.2us。

5.根据权利要求1所述的静电放电防护电路，其特征在于：包括两端分别连接核心电路的输入/输出端和核心电路的限流电阻(Rp)。