[发明专利]真空处理装置

权利要求书

1.一种真空处理装置，利用成膜处理对基板进行处理，包括：

反应室；

板，所述板具有被构造和定位成允许从其中通过的多个贯通孔， 并且所述板将所述反应室分离成等离子体生成空间和基板处理空间， 在所述等离子体生成空间设置有等离子体生成电极，基板将被置于所 述基板处理空间；

其中，通过将等离子体生成气体输送到所述等离子体生成空间中 以产生等离子体，由因此而生成的等离子体产生游离基，并且，将所 述游离基通过所述板中的所述多个贯通孔输送到所述基板处理空间 中，从而，在放置于所述基板处理空间中的基板上进行所述成膜处理，

其中，所述板包括：

分隔体，所述分隔体具有多个通孔和形成于所述分隔体内部的气 体扩散空间，并且，所述气体扩散空间通过扩散孔与所述基板处理空 间连通，以便使供给的成膜气体扩散，并且使扩散的成膜气体通过所 述扩散孔流入所述基板处理空间，然而，所述气体扩散空间相对于所 述等离子体生成空间被封闭，以便要被引入到所述基板处理空间的供 给的成膜气体直到进入所述基板处理空间为止不与所述游离基接触，

控制板，所述控制板可拆卸地安装在所述分隔体上用以进行更换， 并且，所述控制板位于所述分隔体的所述等离子体生成空间侧；

其中，所述控制板具有与所述分隔体中的多个通孔对齐的游离基 通过孔，并且，所述游离基通过孔的直径小于所述通孔的直径，从而， 由所述控制板中的游离基通过孔的直径确定被引入所述基板处理空间 的游离基的量。

2.如权利要求1所述的真空处理装置，其特征在于，所述游离基 通过孔在靠近所述等离子体生成空间处具有小直径部，并且在所述基 板处理空间处具有大直径部，所述小直径部的直径比所述大直径部的 直径小。

3.如权利要求1所述的真空处理装置，其特征在于，所述分隔体 包括下板和上板，以便在所述下板和所述上板之间限定出所述气体扩 散空间，并且，所述控制板安装于所述上板。