[发明专利]真空处理装置

说明书

本申请是申请号为2005100548229、发明名称为《真空处理装置》、 申请日为2005年3月17日的专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及一种真空处理装置，在真空处理装置的真空容器内生 成等离子体，并产生电中性的激发活性种(在本发明中以“游离基” 表示)，对配置在该真空容器内的基板进行处理，例如，进行在基板上 形成薄膜的处理、或对形成于基板上的薄膜进行表面处理等。

背景技术

真空处理装置具有各种各样的用途，所述的真空处理装置，通过 在真空处理装置的真空容器内形成等离子体而产生游离基，对配置在 该真空容器内的基板进行处理，例如，进行在基板上形成薄膜的处理， 或者用于改善形成于基板上的薄膜的膜质的表面处理。

例如，在于低温下利用多晶硅型TFT的液晶显示器的制作中，作 为在低温下形成适当的硅氧化膜作为栅绝缘膜(gate绝缘膜)的真空 处理装置，目前采用等离子体CVD。

例如，在作为现有技术专利文献的特开2000-345349号中，提出 了在真空处理装置的真空容器内生成等离子体并产生游离基、对配置 在该真空容器内的基板进行处理的CVD装置(在本说明书中，为了 将根据该现有技术专利文献的CVD装置与通常的等离子体CVD装置 相区别，将游离基簇射CVD装置称为“RS-CVD装置”)。

在特开2000-345349号中，提出了这样的方案，该RS-CVD装置 在真空容器内生成等离子体并产生游离基，利用该游离基和成膜气体 在基板上进行成膜处理。

即，在特开2000-345349号中提出的RS-CVD装置的使用方法如 下。

首先，利用具有游离基通过的多个贯通孔的隔壁板，将真空反应 室内分离成等离子体生成空间和成膜处理空间(该成膜处理空间相当 于基板处理空间)，将气体导入等离子体生成空间并利用等离子体产生 游离基，该游离基通过位于前述隔壁板上的多个贯通孔导入到成膜处 理空间中。然后，在成膜处理空间中，使直接导入其中的成膜气体和 如前面所述、经由隔壁板的多个贯通孔导入的游离基反应，在配置于 成膜处理空间中的基板上(例如，370mm×470mm的玻璃基板上)进 行成膜处理。

另外，在本说明书中，所谓向基板处理空间、例如成膜处理空间 中“直接导入的成膜气体”，是指不与等离子体及游离基接触、从真空 反应室外部直接导入到基板处理空间、例如成膜处理空间的成膜气体。

图1表示如特开2000-345349号中提出的那样，在RS-CVD装置 作为向基板上进行薄膜形成的装置使用的情况下、过去采用的隔壁板 的通常结构。

隔壁板14在内部配有多个用于扩散成膜气体的成膜气体扩散空 间24。相互连通的各个成膜气体扩散空间24，在图1中，与位于上侧 的等离子体生成空间15隔离开，并且，在图1中，经由成膜气体扩散 空26与位于下侧的成膜处理空间16连通。经由与成膜气体导入管相 连的成膜气体导入口28b导入到多个成膜气体扩散空间24内的成膜气 体在其中扩散，经由成膜气体扩散孔26均匀地供给到成膜处理空间 16的整个区域中。

进而，隔壁板14配有多个贯通孔25，所述贯通孔25在没有配备 成膜气体扩散空间24的部位从一个侧面侧向另一侧面侧贯通(在图1 中沿上下方向贯通)。如图2放大表示的那样，该贯通孔25由游离基 通过孔25a和游离基逃逸孔25b构成。图3是表示从图1的X-X方向 观察时看到的隔壁板14的内部的局部平面图。

根据这种结构的隔壁板14，通过将真空反应室内分离成等离子体 生成空间15和成膜处理空间16，在等离子体生成空间15中产生的游 离基仅经由贯通孔25被导入到成膜处理空间16中，另一方面，从真 空反应室的外部导入到成膜气体扩散空间24内的成膜气体不与等离 子体及游离基接触，经由成膜气体扩散孔26直接导入到成膜处理空间 16中。

【专利文献1】特开2000-345349号公报

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