[发明专利]一种钛酸铋钠和铌酸钾钠复合的无铅压电厚膜的制备方法无效

专利信息
申请号: 201010127246.7 申请日: 2010-03-18
公开(公告)号: CN101807664A 公开(公告)日: 2010-08-18
发明(设计)人: 任巍;纪红芬;史鹏;王玲艳;闫兴伟;姚姗姗;陈晓峰;吴小清;姚熹 申请(专利权)人: 西安交通大学
主分类号: H01L41/22 分类号: H01L41/22
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 惠文轩
地址: 710049*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 钛酸铋钠 铌酸钾钠 复合 压电 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及无机材料中的压电厚膜的制备方法,特别涉及一种钛酸铋钠和铌酸钾钠复合的无铅压电厚膜的制备方法。

背景技术

鉴于含铅材料在制备、使用及废弃处理过程中给环境和人类健康造成的危害,对于材料无铅化的研究逐渐成为材料领域的主要研究发展方向。目前,具有钙钛矿结构的铌酸钾钠基压电陶瓷因其具有高的压电性和高的居里温度而备受关注,但是采用传统的陶瓷烧结工艺很难制备出致密性好的纯的铌酸钾钠陶瓷体。钛酸铋钠因其在室温下强铁电性同样受到关注,但是纯的钛酸铋钠基压电陶瓷存在矫顽场高、相变温度低的缺点,从而影响其实用化。

压电厚膜(1~100微米)材料兼顾了薄膜(小于1微米)和块体(毫米级)的优点,工作电压低,工作频率范围宽,电性能接近块体材料,能够应用于高频声纳换能器、弹性声表面波器件、新型超声换能器、热释电红外传感器、微机械系统、微型马达和微型驱动器等。

发明内容

发明人另辟蹊径,其目的在于提供一种钛酸铋钠和铌酸钾钠复合的无铅压电厚膜的制备方法,能够有效降低厚膜的烧结温度,降低钾钠元素的挥发,提高厚膜的介电、铁电、压电性能。

为达到上述目的,本发明采用以下技术方案予以实现。

一种钛酸铋钠和铌酸钾钠复合的无铅压电厚膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

(1)、按照Bi0.5Na0.5TiO3的化学计量比,将过量2%摩尔的五水硝酸铋溶于乙二醇甲醚中,室温磁力搅拌,得到硝酸铋溶液;将过量10%摩尔的无水乙酸钠溶于乙二醇甲醚中,同时滴加冰醋酸作为催化剂,室温磁力搅拌,得到乙酸钠溶液;将摩尔比为1∶2的钛酸四正丁酯和乙酰丙酮溶于乙二醇甲醚中,室温磁力搅拌,得到钛酸四正丁酯混合溶液;然后分别将硝酸铋溶液和乙酸钠溶液滴加至钛酸四正丁酯混合溶液中,并在80℃下恒温磁力搅拌,之后自然冷却至室温,得到澄清的钛酸铋钠先驱体溶胶;

(2)、按照K0.5Na0.5NbO3的化学计量比分别称取碳酸钾、碳酸钠和五氧化二铌,以无水乙醇为媒介混合球磨,干燥后压片,然后在1000℃下烧结4小时,得到具有钙钛矿结构的铌酸钾钠坯体,再经破碎、球磨,得到微纳米级铌酸钾钠粉体;

(3)、将微纳米级铌酸钾钠粉体与钛酸铋钠先驱体溶胶混合,其中铌酸钾钠的质量含量为40%~70%,然后加入与钛酸铋钠等摩尔的聚乙烯吡咯烷酮作为稳定分散剂,球磨使之充分分散均匀,再经过磁力搅拌得到稳定的混合浆料;

(4)、采用旋涂工艺将所得的稳定的混合浆料沉积在硅基底上,然后进行热处理工艺,重复上述旋涂工艺-热处理工艺,得到钛酸铋钠和铌酸钾钠复合的无铅压电厚膜。

本发明的进一步特点在于:

所述热处理工艺为:先150℃~200℃保温3分钟,再350℃~450℃保温3~10分钟,650℃~750℃退火3~5分钟。

所述旋涂工艺中,转速为2000~5000转/分钟,旋涂时间为30~50秒。

本发明制备出的复合厚膜经x射线衍射(XRD)、阻抗分析仪以及铁电分析仪测试分析,确定具有以下性质:

(1)、制备的复合厚膜在650~750℃退火处理后,相结构呈现钙钛矿结构,表明铌酸钾钠和钛酸铋钠结晶完全;

(2)、膜层厚度为1~10μm。

(3)、厚膜的介电常数在400~900之间,介电损耗小于10%,矫顽场强为50~150kV/cm,剩余极化强度为10~25μC/cm2

附图说明

图1为实施例1制备的铌酸钾钠无铅压电复合厚膜的XRD图;

图2为实施例1制备的铌酸钾钠无铅压电复合厚膜的介电损耗谱;

图3为实施例1制备的铌酸钾钠无铅压电复合厚膜的电滞回线;

图4为实施例2制备的铌酸钾钠无铅压电复合厚膜的XRD图;

图5为实施例2制备的铌酸钾钠无铅压电复合厚膜的介电损耗谱;

图6为实施例2制备的铌酸钾钠无铅压电复合厚膜的电滞回线;

图7为实施例3制备的铌酸钾钠无铅压电复合厚膜的XRD图;

图8为实施例3制备的铌酸钾钠无铅压电复合厚膜的介电损耗谱;

图9为实施例3制备的铌酸钾钠无铅压电复合厚膜的电滞回线;

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