[发明专利]电子组装体有效
申请号: | 201010128013.9 | 申请日: | 2010-03-19 |
公开(公告)号: | CN102194802A | 公开(公告)日: | 2011-09-21 |
发明(设计)人: | 林总贤;林智明 | 申请(专利权)人: | 林总贤;林智明 |
主分类号: | H01L25/00 | 分类号: | H01L25/00;H01L23/14;H01L23/367 |
代理公司: | 北京汇智英财专利代理事务所 11301 | 代理人: | 刘祖芬 |
地址: | 中国台湾台北县莺*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 组装 | ||
技术领域
本发明是有关于一种电子装置(electronic device),且特别是有关于一种电子组装体(electronic assembly)。
背景技术
在半导体产业中,集成电路(integrated circuits,IC)的生产,主要可分为三个阶段:集成电路设计(IC design)、集成电路的制作(ICprocess)及集成电路的封装(IC package)。在集成电路的制作中,芯片(chip)是经由制作晶圆(wafer)、形成集成电路以及切割晶圆(wafersawing)等步骤而完成。晶圆具有一主动面(active surface),其泛指晶圆的具有主动组件(active element)的表面。当晶圆内部的集成电路完成之后,晶圆的主动面更配置有多个接垫(pad),并且晶圆的主动面更由一保护层(passivation layer)所覆盖。保护层暴露出各个接垫,以使最终由晶圆切割所形成的芯片,可经由这些接垫而向外电性连接于一承载器(carrier)。承载器例如为一导线架(leadframe)或一基板(substrate),而芯片可以打线接合(wire bonding)或覆晶接合(flip-chip bonding)的方式连接至承载器上,使得芯片的这些接垫可电性连接于承载器,以构成一芯片封装体(chip package)。
现有技术中,制作完成的芯片封装体再通过表面黏着技术(surfacemount technology)而电性连接至一电路板上,以构成一电子组装体。当芯片封装体运作时,芯片所产生的热可通过电路板而传递至外界环境。然而,现有的电路板内的绝缘层的材质的导热系数较低,所以整体而言,现有的电路板的导热效果较差,使得现有的电子组装体的散热效能(heat-dissipating efficiency)较差。
发明内容
本发明提供一种电子组装体,其两基板的绝缘层的导热系数不同。
本发明提出一种电子组装体,包括一第一基板(substrate)与一电子模块(electronic module)。第一基板包括一第一导体层(conductivelayer)与一第一绝缘层(insulating layer)。第一导体层配置于第一绝缘层上。电子模块包括一第二基板与一电子组件(electronic element)。第二基板配置于第一基板上且包括一第二导体层与一第二绝缘层。第二导体层配置于第二绝缘层上。第二绝缘层的导热系数(coefficient of thermalconductivity)大于第一绝缘层的导热系数。电子组件导热性地连接至第二基板且电性连接至第一基板。
在本发明的一实施例中,上述的第二绝缘层的热膨胀系数(coefficient of thermal expansion)小于第一绝缘层的热膨胀系数。
在本发明的一实施例中,上述的第二绝缘层的崩溃电压(breakdownvoltage)高于第一绝缘层的崩溃电压。
在本发明的一实施例中,上述的第二绝缘层的耐电磁波干扰特性优于第一绝缘层的耐电磁波干扰特性。
在本发明的一实施例中,上述的第二绝缘层的耐静电放电特性优于第一绝缘层的耐静电放电特性。
在本发明的一实施例中,上述的第二绝缘层的耐无线射频(radiofrequency)干扰特性优于第一绝缘层的耐无线射频干扰特性。
在本发明的一实施例中,上述的第二绝缘层的材质包括陶瓷(ceramic)、钻石、石墨及碳-碳复合材料的至少其中之一。此外,陶瓷包括氧化铝、氧化锆、氧化硅、氧化钛、氮化铝、氮化硅、碳化硅及玻璃的至少其中之一。
在本发明的一实施例中,上述的第一基板可具有可挠性。
在本发明的一实施例中,上述的电子组装体更包括一散热装置。第二基板包括两第二导体层,分别配置于第二绝缘层的相对两侧上。第二基板位于电子组件与第一基板之间。第一基板包括两第一导体层,分别配置于第一绝缘层的相对两侧上。第一基板位于第二基板与散热装置之间。
在本发明的一实施例中,上述的电子组装体更包括一散热装置。电子模块更包括一第三基板,第三基板位于电子组件与第一基板之间。电子组件通过第三基板而电性连接至第一基板。第二基板包括两第二导体层,分别配置于第二绝缘层的相对两侧上。第二基板位于电子组件与散热装置之间。电子组件通过第二基板而导热性地连接至散热装置。
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