[发明专利]高效率的硅片清洗水槽和清洗方法

权利要求书

1.一种硅片清洗水槽，其特征在于，包括：

水槽上部、与所述水槽上部成一体的水槽下部、以及可升降板，所述水槽 上部的截面小于所述水槽下部的截面，所述可升降板大于所述水槽上部的截面 且小于所述水槽下部的截面，所述可升降板在水槽下部、以及水槽上部与水槽 下部的连接处运动，所述可升降板升起至所述水槽上部与所述水槽下部的连接 处时，与所述水槽上部的侧壁紧密贴合，所述可升降板与所述水槽上部的侧壁 形成一个独立水槽；

所述水槽上部的深度大于所述硅片半径的3倍，所述水槽上部设有纯水进 水管和防漏槽，所述防漏槽上设有排水管；

所述水槽下部的深度大于所述硅片半径的3倍，所述水槽下部设有药液进 液口和药液排液口，在所述水槽下部还设有排气管。

2.根据权利要求1所述的硅片清洗水槽，其特征在于，所述水槽的材质为石英、 PFA、PTFE或者不锈钢。

3.根据权利要求1或2所述的硅片清洗水槽，其特征在于，所述水槽的底面的 长度能容纳25枚或50枚竖直的所述硅片，所述水槽的底面的宽度大于所述硅 片直径。

4.根据权利要求3所述的硅片清洗水槽，其特征在于，所述水槽的总深度为所 述硅片直径的4倍。

5.根据权利要求4所述的硅片清洗水槽，其特征在于，所述可升降板的上下表 面呈圆弧状。

6.根据权利要求5所述的硅片清洗水槽，其特征在于，在所述水槽下部内还设 有超声波发生装置。

7.据据权利要求6所述的硅片清洗水槽，其特征在于，所述超声波发生装置的 数量为1个或多个，其位置在所述水槽底部或所述水槽下部的侧壁，工作频率 为200kHz-3MHz。

8.一种利用权利要求1所述的硅片清洗水槽的硅片清洗方法，其特征在于，包 括如下步骤：

将所述可升降板置于水槽上部与水槽下部的连接处，打开所述排气管，通 过所述药液进液口向所述水槽下部注入药液；

当所述药液接近所述排气管时停止所述药液注入，将所述硅片放入所述可 升降板上，将所述可升降板下降使所述硅片完全浸没在所述药液中；

对所述硅片进行药液清洗；

当所述药液清洗完成后，将所述可升降板上升到所述水槽上部与所述水槽 下部的连接处，所述水槽上部的侧壁与所述可升降板形成一个独立水槽；

通过所述纯水进水管向所述独立水槽注入纯水，直到纯水溢出后从所述防 漏槽上的排水管排出；

对所述硅片进行纯水清洗；

所述纯水清洗完成后，取出所述硅片。

9.一种根据权利要求8所述的硅片清洗方法，其特征在于，在所述水槽下部内 还设有超声波发生装置，对所述硅片进行药液清洗时，还包括打开所述超声波 发生装置。

10.一种根据权利要求8所述的硅片清洗方法，其特征在于，所述可升降板的 上下表面呈圆弧状。

11.一种根据权利要求8-10中任一项所述的硅片清洗方法，其特征在于，所述 水槽的总深度为所述硅片直径的4倍。