[发明专利]高效率的硅片清洗水槽和清洗方法

说明书

技术领域

本发明涉及集成电路制造技术领域，具体涉及硅片清洗水槽和清洗方法。

背景技术

伴随集成电路制造工艺的不断进步，半导体器件的体积正变得越来越小， 这也导致了非常微小的颗粒也变得足以影响半导体器件的制造和性能，所以， 硅片清洗工艺也变得越来越重要。在目前业界广泛使用的半导体硅片清洗技术 和清洗设备中，虽然出现了多种新型的设备，但一次可以进行多枚硅片清洗的 浸没式清洗设备依然是最为广泛使用的方法和设备。

但是，目前业界广泛采用的浸没式清洗设备一般会包含多个使用不用化学 药液的清洗槽，每一个清洗槽都必须配备一个使用去离子水(或纯水)冲洗硅 片的QDR(纯水冲洗)槽，每一个槽都必须可以容纳25或50枚硅片同时清洗。 这样一来，一台可以进行多种清洗工艺的浸没式清洗设备的占地面积就会变得 相当巨大。

发明内容

本发明解决的是，药液清洗槽必须配备一个QDR槽才能完成清洗，从而使 清洗设备占地面积大的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种硅片清洗水槽，包括：

包括水槽上部、与所述水槽上部成一体的水槽下部、以及可升降板，所述 水槽上部的截面小于所述水槽下部的截面，所述可升降板大于所述水槽上部的 截面且小于所述水槽下部的截面，所述可升降板在水槽下部、以及水槽上部与 水槽下部的连接处运动，所述可升降板升起至所述水槽上部与所述水槽下部的 连接处时，与所述水槽上部的侧壁紧密贴合，所述可升降板与所述水槽上部的 侧壁形成一个独立水槽；

所述水槽上部的深度大于所述硅片半径的3倍，所述水槽上部设有纯水进 水管和防漏槽，所述防漏槽上设有排水管；

所述水槽下部的深度大于所述硅片半径的3倍，所述水槽下部设有药液进 液口和药液排液口，在所述水槽下部还设有排气管。

优选的，在所述硅片清洗水槽中，所述水槽的材质为石英、PFA、PTFE或者 不锈钢。

优选的，在所述硅片清洗水槽中，所述水槽的底面的长度能容纳25枚或50 枚竖直的所述硅片，所述水槽的底面的宽度大于所述硅片直径。

优选的，在所述硅片清洗水槽中，所述水槽的总深度为所述硅片直径的4 倍。

优选的，在所述硅片清洗水槽中，所述可升降板的上下表面呈圆弧状。

优选的，在所述硅片清洗水槽中，在所述水槽下部内还设有超声波发生装 置。

优选的，在所述硅片清洗水槽中，所述超声波发生装置的数量为1个或多 个，其位置在所述水槽底部或所述水槽下部的侧壁，工作频率可以为 200kHz-3MHz。

本发明还提供一种利用上述硅片清洗水槽的硅片清洗方法，包括如下步骤：

将所述可升降板置于水槽上部与水槽下部的连接处，打开所述排气管，通 过所述药液进液口向所述水槽下部注入药液；

当所述药液接近所述排气管时停止所述药液注入，将所述硅片放入所述可 升降板上，将所述可升降板下降使所述硅片完全浸没在所述药液中；

对所述硅片进行药液清洗；

当所述药液清洗完成后，将所述可升降板上升到所述水槽上部与所述水槽 下部的连接处，所述水槽上部的侧壁与所述可升降板形成一个独立水槽；

通过所述纯水进水管向所述独立水槽注入纯水，直到纯水溢出后从所述防 漏槽上的排水管排出；

对所述硅片进行纯水清洗；

所述纯水清洗完成后，取出所述硅片。

优选的，在所述硅片清洗方法中，在所述水槽下部内还设有超声波发生装 置，对所述硅片进行药液清洗时，还包括打开所述超声波发生装置。

优选的，在所述硅片清洗方法中，所述可升降板的上下表面呈圆弧状。

优选的，在所述硅片清洗方法中，所述水槽的总深度为所述硅片直径的4 倍。

本发明的所述硅片清洗水槽，将水槽下部和水槽上部集成在一起，所述水 槽下部相当于药液槽，所述水槽上部相当于QDR槽，这样同样可以完成硅片的 清洗工作，减少了水槽上部的占地面积，从而减少了水槽上部所在清洗水槽的 占地面积，从而降低了清洗水槽的使用成本。

本发明的所述硅片清洗方法，能够方便快捷的清洗所述硅片。

附图说明

图1为本发明的硅片清洗水槽的结构示意图；