[发明专利]像素结构及其制造方法以及电子装置的制造方法

权利要求书

1.一种像素结构，其特征在于，包括：

一基板；

一栅极，位于该基板上；

一绝缘层，覆盖该栅极；

一金属氧化物半导体层，位于该栅极上方的该绝缘层上；

一源极以及一漏极，位于该金属氧化物半导体层上；

至少一膜层，覆盖该金属氧化物半导体层，其中该至少一膜层包括一透明光触媒材料，且该透明光触媒材料阻挡一紫外光波段光线穿透至该金属氧化物半导体层，该透明光触媒材料包括绝缘金属氧化物或是金属氧化物纳米颗粒，其中该绝缘金属氧化物包括TiOx、TiSiOx、ZnOx、SnOx、ZrOx、CdS或其组合，其中该金属氧化物纳米颗粒包括TiOx纳米颗粒、TiSiOx纳米颗粒、ZnOx纳米颗粒、SnOx纳米颗粒、ZrOx纳米颗粒或CdS纳米颗粒或其组合；以及

一第一电极层，其与该源极或该漏极电性连接；

其中该至少一膜层包括一第一保护层，覆盖该源极与该漏极上；该第一保护层中形成一接触窗开口，暴露出该源极或该漏极，该第一电极层位于该第一保护层上，填入该接触窗开口与该源极或该漏极电性连接。

2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，其中该第一保护层包括该透明光触媒材料。

3.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该至少一膜层包括：

一第二保护层，位于该第一保护层上，且暴露出该第一电极层，

其中该第一保护层与该第二保护层至少其中之一包括该透明光触媒材料。

4.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该至少一膜层包括：

一蚀刻终止层，位于该金属氧化物半导体层的表面上；

该第一保护层，覆盖该源极与该漏极以及该蚀刻终止层；以及

一第二保护层，位于该第一保护层上，且暴露出该第一电极层，

其中该蚀刻终止层、该第一保护层与该第二保护层至少其中之一包括该透明光触媒材料。

5.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，更包括：

一发光材料层，位于该第一电极层上；以及

一第二电极层，位于该发光材料层上其中该透明光触媒材料阻挡波长为170～350nm的光。

6.一种像素结构的制造方法，其特征在于，包括：

在一基板上形成一栅极；

在该栅极上形成一绝缘层；

在该栅极上的该绝缘层上形成一金属氧化物半导体层；

于该金属氧化物半导体层上形成一源极以及一漏极；

于该源极与该漏极上形成至少一膜层，并覆盖该金属氧化物半导体层，其中该至少一膜层包括一透明光触媒材料，且该透明光触媒材料阻挡一紫外光波段光线穿透至该金属氧化物半导体层；以及

形成一第一电极层，其与该源极或该漏极电性连接；其中

形成该至少一膜层的方法包括：

于该源极与该漏极上形成一第一保护层，并覆盖该金属氧化物半导体层，其中该第一保护层包括该透明光触媒材料；以及

图案化该第一保护层，以于该第一保护层中形成一接触窗开口，暴露出该源极或该漏极，其中该第一电极层填入该接触窗开口以与该源极或该漏极电性连接；其中

该透明光触媒材料包括绝缘金属氧化物或是金属氧化物纳米颗粒，其中该绝缘金属氧化物TiOx、TiSiOx、ZnOx、SnOx、ZrOx、CdS或其组合，其中该金属氧化物纳米颗粒包括TiOx纳米颗粒、TiSiOx纳米颗粒、ZnOx纳米颗粒、SnOx纳米颗粒、ZrOx纳米颗粒、CdS纳米颗粒或其组合。

7.根据权利要求6所述的像素结构的制造方法，其特征在于，该透明光触媒材料阻挡波长为170～350nm的光。

8.根据权利要求6所述的像素结构的制造方法，其特征在于，更包括对该第一电极层的表面进行一紫外光清洁程序，其中该紫外光清洁程序包括施予臭氧并且照射紫外光，且所述紫外光的波长约为172nm。

9.根据权利要求6所述的像素结构的制造方法，其特征在于，其中该第一保护层包括该透明光触媒材料。