[发明专利]像素结构及其制造方法以及电子装置的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种像素结构，且特别是有关于一种像素结构及其制造方法，以及具有此像素结构的电子装置的制造方法。

背景技术

电致发光装置是一种自发光性(Emissive)的装置。由于电致发光装置具有无视角限制、低制造成本、高应答速度(约为液晶的百倍以上)、省电、可使用于可携式机器的直流驱动、工作温度范围大以及重量轻且可随硬件设备小型化及薄型化等等的优点。因此，电致发光装置具有极大的发展潜力，可望成为下一代的新颖平面显示器。

以主动式电致发光装置为例，其包括多个像素结构，像素结构包括主动元件及与主动元件电性连接的发光元件。主动元件可以是薄膜晶体管，其包括一栅极、一源极与一漏极以及一半导体层，发光元件是由一上电极层、一下电极层以及夹于两电极层之间的一发光层所组成。其中，发光元件的下电极层与主动元件的源极或漏极电性连接，使主动元件作为控制发光元件的开关。

一般来说，在像素结构的制作中，在主动元件上形成下电极层后，会以紫外光及臭氧来对下电极层的表面进行清洗，以去除其表面的污染物。然而，紫外光照射到主动元件的半导体层可能会导致主动元件的元件特性劣化，进而影响像素结构及电致发光装置的元件特性。

发明内容

本发明提供一种像素结构，以解决像素结构在紫外光照射下所产生的劣化问题。

本发明另提供一种像素结构的制造方法，能避免像素结构在紫外光照射下所产生的劣化问题。

本发明提供一种电子装置的制造方法，其具有良好的元件特性。

本发明提出一种像素结构，包括一基板、一栅极、一绝缘层、一金属氧化物半导体层、一源极以及一漏极、至少一膜层以及一第一电极层。栅极位于基板上。绝缘层覆盖栅极。金属氧化物半导体层位于栅极上方的绝缘层上。源极以及漏极位于金属氧化物半导体层上。至少一膜层覆盖金属氧化物半导体层，其中至少一膜层包括一透明光触媒材料，且透明光触媒材料阻挡一紫外光波段光线穿透至金属氧化物半导体层。第一电极层与源极或漏极电性连接。

本发明另提出一种像素结构的制造方法。首先，在一基板上形成一栅极。接着，在栅极上形成一绝缘层。然后，在栅极上的绝缘层上形成金属氧化物半导体层。而后，于金属氧化物半导体层上形成一源极以及一漏极。之后，形成至少一膜层，所述至少一膜层覆盖金属氧化物半导体层且包括一透明光触媒材料，且透明光触媒材料阻挡一紫外光波段光线穿透至金属氧化物半导体层。然后，形成一第一电极层，其与源极或漏极电性连接。

本发明又提出一种电子装置的制造方法。首先，在一基板上形成多个像素结构，其中每一像素结构是以如前文所述的方法制成。接着，在基板的表面上形成一密封胶。然后，在基板上形成一盖板，盖板遮蔽像素结构且与密封胶接触。之后，进行一紫外光固化程序，以使密封胶固化。

基于上述，本发明在金属氧化物半导体层上形成包括透明光触媒材料的膜层，以避免紫外光等光线照射金属氧化物半导体层而影响其特性。如此一来，能解决像素结构在紫外光照射下所产生的劣化问题，使像素结构及包含其的电子装置具有良好的元件特性。

为让本发明的上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，所附附图的说明如下：

附图说明

图1是本发明的一实施例的一种像素结构的剖面示意图；

图2是本发明的另一实施例的一种像素结构的剖面示意图；

图3是本发明的一实施例的一种像素阵列的等效电路图；

图4是本发明的一实施例的一种电子装置的示意图；

图5是本发明的另一实施例的一种电子装置的示意图；

图6A至图6F为图2所示的像素结构的制造方法的流程剖面示意图；

图7A至图7C是一种电子装置的制造方法的流程剖面示意图。

其中，附图标记

10、10a：电子装置         20：像素阵列

22：像素单元              30：密封胶

32：盖板                  40：保护膜

100：像素结构             102：基板

110、T：主动元件          112：栅极

120：绝缘层               130：金属氧化物半导体层

132：蚀刻终止层           134：源极

136：漏极                 142、152：开口

140、150：保护层          160：发光元件