[发明专利]一种SiC MESFET栅极制作方法有效
| 申请号： | 201010129557.7 | 申请日： | 2010-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN101807527A | 公开（公告）日： | 2010-08-18 |
| 发明（设计）人： | 商庆杰;霍玉柱;潘宏菽;李亚丽;周瑞 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L21/338 | 分类号： | H01L21/338;H01L21/28 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 李荣文 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 sic mesfet 栅极 制作方法 | ||
1.一种SiC MESFET栅极制作方法，包括以下步骤：
1)在SiC衬底(1)上通过同质外延制备出缓冲层(2)、沟道层(3)、盖 帽层(4)；
2)在盖帽层(4)上生长掩蔽层(5)，光刻、刻蚀掩蔽层(5)形成栅区；
3)干法刻蚀掉栅区处盖帽层(4)，去除掩蔽层(5)；
4)在栅区处沟道层(3)表面进行氧化，并腐蚀氧化层以去除SiC损伤层；
5)在栅区处沟道层(3)表面进行热氧化生成氧化硅层(6)；
6)对氧化硅层(6)进行氮化处理生成氮氧化硅层(7)；
7)涂敷光刻胶(9)，曝光、显影后形成栅区窗口；
8)湿法刻蚀栅区氮氧化硅层(7)；
9)蒸发淀积金属形成栅极(10)；
其特征在于：在上述步骤6)和步骤7)之间增加采用湿法再氧化工艺对氮 氧化硅层(7)进行进一步氮化处理的步骤，在上述湿法再氧化工艺中通入体积 含量为5％～20％HNO3水汽，采用的退火温度为900℃～1200℃。
2.根据权利要求1所述的一种SiC MESFET栅极制作方法，其特征在于， 采用的退火温度为950℃～1050℃。
3.根据权利要求1所述的一种SiC MESFET栅极制作方法，其特征在于在 上述湿法再氧化后的氮氧化硅层(7)上淀积氮化硅层(8)，并且在上述步骤7) 和步骤8)之间增加干法刻蚀栅区氮化硅层(8)的步骤。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第十三研究所，未经中国电子科技集团公司第十三研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010129557.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
