[发明专利]闪存控制方法及装置有效
申请号: | 201010130682.X | 申请日: | 2010-03-23 |
公开(公告)号: | CN101799793A | 公开(公告)日: | 2010-08-11 |
发明(设计)人: | 李国强;成晓华 | 申请(专利权)人: | 深圳市硅格半导体有限公司 |
主分类号: | G06F13/16 | 分类号: | G06F13/16 |
代理公司: | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人: | 胡海国 |
地址: | 518057 广东省深圳市南山*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 闪存 控制 方法 装置 | ||
1.一种闪存控制方法,其特征在于,包括步骤:
通过将闪存的各种操作的命令序列完全分解,直到分解至可以重建任何 命令序列的操作,并设定所述操作为元操作,且提取出这些元操作所必需的 属性或参数;同时,将元操作集合存储,建立元操作库,供重建命令序列时 提取;
根据需要执行操作对应的命令序列,从元操作库中提取相应的元操作并 按顺序组合为队列;
执行组合后的队列,实现需要执行的命令序列的功能;所述队列的执行 方式为流水线方式,在执行一个命令序列对应的队列的元操作的同时,可为 另一命令序列配置元操作的队列并执行。
2.根据权利要求1所述的闪存控制方法,其特征在于,所述设定元操作, 并建立元操作库的步骤还包括步骤:
设定元操作,并增加至已建立的元操作库中。
3.根据权利要求1或2所述的闪存控制方法,其特征在于,所述元操作 包括:
发送命令、发送行地址、发送列地址、读出数据、写入数据、启动DMA、 停止队列的执行、强制延时、设定片选信号、产生硬件中断信号、空操作和/ 或检查Flash操作状态。
4.一种闪存控制装置,其特征在于,包括:
设定模块,通过将闪存的各种操作的命令序列完全分解,直到分解至可 以重建任何命令序列的操作,并设定所述操作为元操作,且提取出这些元操 作所必需的属性或参数;同时,将元操作集合存储,建立元操作库,供重建 命令序列时提取;
组合模块,根据需要执行操作对应的命令序列,从元操作库中提取相应 的元操作并按顺序组合为队列;
执行模块,执行组合后的队列,实现需要执行的命令序列的功能;所述 队列的执行方式为流水线方式,在执行一个命令序列对应的队列的元操作的 同时,可为另一命令序列配置元操作的队列并执行。
5.根据权利要求4所述的闪存控制装置,其特征在于,所述设定模块包 括:
增设单元,设定元操作,并增加至已建立的元操作库中。
6.根据权利要求4或5所述的闪存控制装置,其特征在于,所述元操作 包括:
发送命令、发送行地址、发送列地址、读出数据、写入数据、启动DMA、 停止队列的执行、强制延时、设定片选信号、产生硬件中断信号、空操作和/ 或检查Flash操作状态。
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