[发明专利]闪存控制方法及装置

说明书

技术领域

本发明涉及到闪存存储技术领域，特别涉及到一种闪存控制方法及装置。

背景技术

由于Flash(闪存)存储技术应用越来越广泛，其制造工艺节点的演进也 是非常之快，已经迅速的从70nm、52nm缩小至42nm，甚至3xnm，但是Flash 的性能也随之有所下降。为弥补性能的缺陷，可在Flash产品中新增一些特殊 的操作，即新的命令序列，以提高产品性能及稳定性。另一方面，由于Flash 技术没有统一的业内标准，各生产厂商所生产的Flash产品的操作方法也不尽 相同，对Flash控制器的兼容性提出了更高的要求。

现有技术中，Flash控制器可采用完全软件实现控制，即Flash中的每一 种操作、每一个命令序列都由程序指令产生。此种方式的芯片最简单，实际 上可以说并没有“Flash控制器”，但是软件程序却是最复杂，也最难维护。很 明显，跟硬件方式相比，此种方式所能获得的数据传输率非常低，只能适用 于低速应用的场合。

Flash控制器还可采用硬件实现控制，即由Flash控制器实现一些基本的 命令序列，软件只需要较少的控制就可以实现Flash的读取、写入以及擦除等 基本操作。此种方式能获得较高的数据速率，但是一般只能支持一些特定的 Flash产品。由于其兼容性太差，随着产品的更新换代，或者需要支持其他厂 商的产品，就需要修改Flash控制器的设计，并重新流片生产，使得Flash控 制器成本提高，而且更新换代花费的时间变长等。

Flash控制器另可采用软硬件结合实现控制，即由硬件实现一些特定的操 作，再由软件实现另一些特定的操作，而使得一个完整的命令序列往往既有 硬件实现的部分，也有软件实现的部分，对于新增的命令序列则一般需要较 多的软件参与，效率就会有所下降。为兼顾性能，硬件实现的操作往往是比 较复杂的部分，由此限制了兼容性，一旦上述操作方式不再适用，就需要修 改整个硬件设计，所以其可扩充性不太好。另外，因为一个完整的命令序列 通常由软硬件共同参与完成，在串行完成整个命令序列的过程中，软硬件资 源都无法得到有效的释放，无法引入Pipeline(流水线)技术，所以数据传输 效率不高。

由上可知，Flash控制器的兼容性问题以及数据传输问题，已成为本领域 技术人员亟待解决的问题。

发明内容

本发明的目的之一为提供一种闪存控制方法及装置，提升了闪存控制器 的兼容性。

本发明提出一种闪存控制方法，包括步骤：

通过将闪存的各种操作的命令序列完全分解设定元操作，并建立元操作 库；

根据需要执行的命令序列，从元操作库中提取相应的元操作并组合为队 列；

执行组合后的队列，实现需要执行的命令序列的功能。

优选地，所述设定元操作，并建立元操作库的步骤还包括步骤：

设定元操作，并增加至已建立的元操作库中。

优选地，所述元操作包括：

发送命令、发送行地址、发送列地址、读出数据、写入数据、启动DMA、 停止队列的执行、强制延时、设定片选信号、产生硬件中断信号、空操作和/ 或检查Flash操作状态等。

优选地，所述队列的执行方式为流水线方式或非流水线方式。

本发明还提出一种闪存控制装置，包括：

设定模块，通过将闪存的各种操作的命令序列完全分解设定元操作，并 建立元操作库；

组合模块，根据需要执行的命令序列，从元操作库中提取相应的元操作 并组合为队列；

执行模块，执行组合后的队列，实现需要执行的命令序列的功能。

优选地，所述设定模块包括：

增设单元，设定元操作，并增加至已建立的元操作库中。

优选地，所述元操作包括：

发送命令、发送行地址、发送列地址、读出数据、写入数据、启动DMA、 停止队列的执行、强制延时、设定片选信号、产生硬件中断信号、空操作和/ 或检查Flash操作状态等。

优选地，所述队列的执行方式为流水线方式或非流水线方式。