[发明专利]含氧半导体薄膜晶体管的制作方法及显示装置的制作方法无效
| 申请号： | 201010131307.7 | 申请日： | 2010-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN102201347A | 公开（公告）日： | 2011-09-28 |
| 发明（设计）人： | 辛哲宏;王裕霖;舒芳安;蔡耀州 | 申请（专利权）人： | 元太科技工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/34 | 分类号： | H01L21/34;H01L21/363;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京汇智英财专利代理事务所 11301 | 代理人： | 陈践实 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 薄膜晶体管 制作方法 显示装置 | ||
1.一种含氧半导体薄膜晶体管的制作方法，其特征在于：
利用沉积工艺形成一个含氧半导体活性层，进行该沉积工艺时所用的气体的总流量大于100标准状态毫升每分钟，所用的电功率介于1.5千瓦至10千瓦之间。
2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于：该沉积工艺为溅镀沉积工艺。
3.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于：该含氧半导体活性层的材质为氧化锌、氧化锌锡、氧化铬锡、氧化镓锡、氧化钛锡、氧化铟镓锌、氧化铜铝、氧化锶铜或硫氧化镧铜。
4.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于：该含氧半导体活性层厚度介于300埃至2000埃之间。
5.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于：进行该沉积工艺时所用的气体至少包含氧气与氩气，且该气体中氧气与总气体的流量比值介于4％至20％之间。
6.一种显示装置的制作方法，其特征在于：
提供一个基板；
在该基板上形成含氧半导体薄膜晶体管阵列，形成该含氧半导体薄膜晶体管阵列的步骤包括：利用沉积工艺形成一个含氧半导体活性层，且进行该沉积工艺时所用的气体的总流量大于100标准状态毫升每分钟，所用的电功率介于1.5千瓦至10千瓦之间，使该含氧半导体活性层具有温度稳定性；以及
配置一个显示层于该含氧半导体薄膜晶体管阵列上。
7.如权利要求6所述的制作方法，其特征在于：该含氧半导体活性层的材质为氧化锌、氧化锌锡、氧化铬锡、氧化镓锡、氧化钛锡、氧化铟镓锌、氧化铜铝、氧化锶铜或硫氧化镧铜。
8.如权利要求6所述的制作方法，其特征在于：该含氧半导体活性层厚度介于300埃至2000埃之间。
9.如权利要求6所述的制作方法，其特征在于：进行该工艺时所用的气体至少包含氧气与氩气，且该气体中氧气与总气体的流量比值介于4％至20％之间。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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