[发明专利]含氧半导体薄膜晶体管的制作方法及显示装置的制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种薄膜晶体管的制作方法，且特别涉及一种含氧半导体薄膜晶体管的制作方法以及薄膜晶体管显示装置的制作方法。

背景技术

目前，液晶显示装置(liquid crystal display)、电泳显示装置(electrophoretic display)、有机发光二极管显示装置(organic light emittingdiode display)等薄膜晶体管显示装置的应用愈来愈广泛。为提升显示装置的显示品质，作为显示装置核心结构的薄膜晶体管(thin film transistor，TFT)的结构及工艺技术的研究与发展一直以来都为人们所关注。

传统薄膜晶体管一般采用非晶硅(amorphous silicon，a-Si)作为活性层，然而，此种薄膜晶体管具有例如漏电高，电子移动性低以及不能将部分集成电路功能直接形成在基材上等缺点，因而已经无法满足高品质显示装置的需要。为改善上述问题，业界开发出采用低温多晶硅(lowtemperature polysilicon，LTPS)作为活性层的薄膜晶体管，然而由于制作低温多晶硅的工艺困难以及成品率低下，目前仍难以广泛应用。因此，出现了含氧半导体薄膜晶体管(oxide thin film transistor，OTFT)，其采用含氧半导体作为活性层，可以有效解决非晶硅薄膜晶体管的上述问题，从而大幅改善薄膜晶体管的功能。

但是，含氧半导体作为含氧半导体薄膜晶体管的活性层属于新开发材料的应用，如何才能制作出性能良好的含氧半导体薄膜晶体管目前仍处于不断探索中，所制作的含氧半导体薄膜晶体管必须要有适当的信赖性以及稳定的成品率，才可以应用到显示装置，以制作出高品质的显示装置。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种含氧半导体薄膜晶体管的制作方法，所制作的含氧半导体薄膜晶体管具有低漏电特性、高电子移动性以及良好温度稳定性。

本发明另提供一种显示装置的制作方法，有利于提升显示装置的显示品质。

为达成上述优点，本发明提出一种含氧半导体薄膜晶体管的制作方法，其利用沉积工艺形成薄膜晶体管的含氧半导体活性层，其中进行沉积工艺时所用的气体的总流量大于100标准状态毫升每分钟(standardcubic centimeter per minute，sccm)，所用的电功率介于1.5千瓦至10千瓦之间。

在本发明的一实施例中，上述的沉积工艺为溅镀沉积工艺。在本发明的一实施例中，上述的含氧半导体活性层的材质为氧化锌(ZnO)、氧化锌锡(ZnSnO)、氧化铬锡(CdSnO)、氧化镓锡(GaSnO)、氧化钛锡(TiSnO)、氧化铟镓锌(InGaZnO)、氧化铜铝(CuAlO)、氧化锶铜(SrCuO)或硫氧化镧铜(LaCuOS)。在本发明的一实施例中，上述的含氧半导体活性层厚度介于300埃至2000埃之间。在本发明的一实施例中，进行上述的沉积工艺时所用的气体至少包含氧气(O₂)与氩气(Ar)。在本发明的一实施例中，上述的气体中氧气与总气体的流量比值介于4％至20％之间。

为达成上述优点，本发明又提出一种显示装置的制作方法，其先提供基板，然后，于基板上形成含氧半导体薄膜晶体管阵列，其后，配置显示层于含氧半导体薄膜晶体管阵列上。形成含氧半导体薄膜晶体管阵列的步骤包括：利用沉积工艺形成薄膜晶体管的含氧半导体活性层，且进行沉积工艺时所用的气体的总流量大于100标准状态毫升每分钟，所用的电功率介于1.5千瓦至10千瓦之间。

在本发明的一实施例中，上述的显示装置的制作方法更包括配置彩色滤光基板于显示层上。

在本发明的一实施例中，上述的显示层为电泳显示层。在本发明的一实施例中，上述的电泳显示层为微胶囊电泳显示层或微杯电泳显示层。

在本发明的一实施例中，上述的显示层为有机发光二极管显示层。在本发明的一实施例中，上述的有机发光二极管显示层为底部发光有机发光二极管显示层或顶部发光有机发光二极管显示层。

在本发明的一实施例中，上述的显示层为液晶显示层。在本发明的一实施例中，上述的液晶显示层的间隙厚度介于3微米至6微米之间。