[发明专利]有机发光显示装置及其制造方法有效
申请号: | 201010131686.X | 申请日: | 2004-09-22 |
公开(公告)号: | CN101819988A | 公开(公告)日: | 2010-09-01 |
发明(设计)人: | 金茂显 | 申请(专利权)人: | 三星移动显示器株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/82 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 张波 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种有机发光显示装置,包括:
一基板;
一薄膜晶体管,设置在所述基板上、具有源/漏电极;
一钝化层,处于所述源/漏电极上且具有暴露出所述源/漏电极其中之一 的一通孔;
一第一像素电极,形成在所述钝化层上,与通过所述通孔暴露出的所述 源/漏电极电连接;
一平坦化图案,填充所述通孔并暴露出所述第一像素电极处在所述钝化 层上的部分;
一第二像素电极,设置在所述平坦化图案和所述第一像素电极上;
一像素限定层,处于所述第二像素电极上并具有暴露出所述第二像素电 极的一开口,所述开口的范围包括所述通孔对应的区域和所述薄膜晶体管对 应的区域;
一有机层,处于暴露于所述开口中的所述第二像素电极上,并具有一有 机发射层;以及
一相对电极,处于所述有机层上,所述相对电极用作阴极,
其中所述平坦化图案的上表面和所述第一像素电极的上表面共平面,且 所述平坦化图案的所述上表面不与所述像素限定层的上表面共面,且
其中所述平坦化图案位于所述第一像素电极和所述第二像素电极之间, 且
其中所述第一像素电极和所述第二像素电极用作阳极,并且
其中光从与所述开口的全部范围对应的区域发射。
2.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其中所述平坦化图案由从 苯并环丁烯、酚醛树脂、丙烯酰树脂、聚酰亚胺树脂、SOG组成的组中选择 出的一种材料形成。
3.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其中所述第一像素电极还 设置在所述薄膜晶体管设置区域的任何部分上。
4.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其中所述第一像素电极由 氧化铟锡或氧化铟锌形成。
5.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其中所述第一像素电极由 从Al,Ni,Cr和AlNd组成的组中选择出的一种材料形成。
6.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其中所述第二像素电极处 于所述第一像素电极的整个表面上。
7.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其中所述第二像素电极用 氧化铟锡,氧化铟锌或其他类似材料其中之一形成。
8.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其中所述第二像素电极由 从Al,Ni,Cr和AlNd组成的组中选择出的一种材料形成。
9.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其中所述第一像素电极由 从Al,Ag,MoW,AlNd和Ti组成的组中选择出的一种材料形成。
10.如权利要求7所述的有机发光显示装置,其中所述第一像素电极由 氧化铟锡,氧化铟锌或其他类似材料其中之一形成。
11.如权利要求7所述的有机发光显示装置,其中所述第一像素电极由 从Al,Ag,MoW,AlNd和Ti组成的组中选择出的一种材料形成。
12.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其中所述平坦化图案具有 与所述第一像素电极的平坦上表面共面的平坦上表面,使得位于所述平坦化 图案和所述第一像素电极上的所述第二像素电极具有相对平坦的下表面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的