[发明专利]有机发光显示装置及其制造方法

说明书

本申请是2004年9月22日提交的第200410082447.4号专利申请的分案 申请。

技术领域

本发明涉及一种有机发光显示器(OLED)及其制造方法，并具体涉及 一种有源矩阵OLED及其制造方法。

背景技术

(OLED)是一种可以电激发荧光有机化合物发光的发光显示装置。根 据用于驱动设置成矩阵的显示象素的方法，OLED可以为无源矩阵 (passive-matrix)型或有源矩阵(active-matrix)型。有源矩阵型OLED消 耗的能量比无源矩阵OLED少，从而具有以更高分辨率产生更大显示面积的 能力。

图1表示传统无源矩阵OLED的剖面图及其制造方法。

参照图1，在绝缘基板100上形成缓冲层105。然后利用常规方法，通 过在缓冲层105上相继形成活性层110，栅绝缘层120，栅电极130，中间层 140和源/漏电极145，形成驱动薄膜晶体管(TFT)。在包括驱动TFT的基 板的整个表面上形成平坦化层155。然后，在平坦化层155中形成通孔150， 将源/漏电极145中的任何一个暴露在外。

然后在通孔150内形成象素电极170，与露出的源/漏电极145接触。由 于沿通孔150的底面和侧壁形成象素电极170，所以其在通孔150中具有凹 进区域。

为覆盖象素电极170形成的象素限定层175，在距离通孔150预定距离 处具有开口178，以便露出象素电极170。在通过开口178露出的象素电极 170上形成有机发射层180，并在有机发射层180上形成相对电极190，从而 形成有机发光二极管。该有机发光二极管通过通孔150与驱动TFT连接，并 受到驱动TFT的驱动。

通过这种制造OLED的方法，形成象素限定层175，以覆盖在通孔150 内凹进的象素电极170。此处，象素限定层175具有与通孔150间隔预定距 离的开口178。有机发射层180没有处于象素电极170的凹进部分上，以防 止有机发射层180凹陷和降质。不过，由于与通孔150间隔预定距离形成开 口178，由开口178限定的开口面积(P)受到限制，所产生的开口面积(P) 与单位象素面积的孔径比也受到限制。在从有机发射层180沿远离基板100 的方向发光的顶部发光OLED中这些限制更大

本申请要求2003年10月16日递交的韩国专利申请No.2003-72339，和 2003年11月22日递交的No.2003-0083391的优先权，在此如同此处全文给 出那样引作参考。

发明内容

因此，本发明涉及一种OLED和OLED的制造方法，其充分避免了现 有技术的限制和缺点导致的一个或多个问题。

本发明提供一种OLED和一种制造可以防止由于通孔而限制孔径比的 OLED的方法。

在下面的描述中将给出本发明的其他特征和优点，其部分可从说明中明 显看出，或者可通过本发明的实施而获悉。

为了实现这些和其他优点，根据本发明，如具体实施和广义说明的那样， 本发明的一个方面提供一种OLED，该OLED包括基板和设置在基板上预定 区域处、具有源/漏电极的TFT。钝化层位于源/漏电极上，具有将源/漏电极 其中之一暴露在外的通孔。第一像素电极位于通孔底部，与暴露的源/漏电极 电连接，并且延伸到通孔的侧壁和钝化层上。平坦化图案填充设有第一象素 电极的通孔，并露出处于钝化层上的第一象素电极部分，且还设置在所述第 一像素电极的每一端处。

本发明还提供一种用于制造这种OLED的方法。其在基板上预定区域处 形成具有源/漏电极的薄膜晶体管。在源/漏电极上形成钝化层，并且形成通 孔以将源/漏电极其中之一暴露在外。第一象素电极形成在暴露的源/漏电极， 通孔的侧壁以及钝化层上。平坦化层形成在第一象素电极上，并形成平坦化 图案，以填充其中设有第一象素电极的通孔，并露出第一象素电极处于钝化 层上的部分。

附图说明

提供对本发明进一步理解，并且构成本说明书的一部分的附图，说明本 发明的实施例，与说明书一起用于解释本发明的原理。

图1表示传统无源矩阵OLED的剖面图及其制造方法。

图2A，2B和2C表示根据本发明一个实施例有源矩阵OLED的剖面图 及其制造方法。