[发明专利]1-N-乙基庆大霉素C1a的制备方法有效
申请号: | 201010132962.4 | 申请日: | 2010-03-26 |
公开(公告)号: | CN101928311A | 公开(公告)日: | 2010-12-29 |
发明(设计)人: | 封成军;李兴刚;胡东辉;毕晓明;苏晓春;狄绍炎 | 申请(专利权)人: | 常州方圆制药有限公司 |
主分类号: | C07H15/236 | 分类号: | C07H15/236;C07H1/00 |
代理公司: | 常州市江海阳光知识产权代理有限公司 32214 | 代理人: | 翁坚刚 |
地址: | 213022 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 乙基 庆大霉素 sub 制备 方法 | ||
1.一种1-N-乙基庆大霉素C1a的制备方法,其特征在于具有以下步骤:
①将3,2',6'-三-N-乙酰基庆大霉素C1a与六甲基二硅胺烷在三氯甲烷溶剂中,在浓硫酸的催化作用下加热至回流而发生生成3,2',6'-三-N-乙酰基-5,2”,4”-三(三甲基硅基)庆大霉素C1a的硅烷化反应,直至反应完全;
②将步骤①得到的3,2',6'-三-N-乙酰基-5,2”,4”-三(三甲基硅基)庆大霉素C1a与乙醛在二氯甲烷溶剂中在8℃~12℃的温度下进行生成3,2',6'-三-N-乙酰基-5,2”,4”-三(三甲基硅基)乙亚胺庆大霉素C1a的N-烷基化反应;接着再与硼氢化钾发生生成3,2',6'-三-N-乙酰基-5,2”,4”-三(三甲基硅基)-1-N-乙基庆大霉素C1a的还原反应,直至反应完全;
③用NaOH溶液水解步骤②得到的3,2',6'-三-N-乙酰基-5,2”,4”-三(三甲基硅基)-1-N-乙基庆大霉素C1a得到1-N-乙基庆大霉素C1a的水解液;
④对步骤③得到的1-N-乙基庆大霉素C1a水解液进行后处理得到1-N-乙基庆大霉素C1a成品。
2.根据权利要求1所述的1-N-乙基庆大霉素C1a的制备方法,其特征在于:步骤①中的六甲基二硅胺烷与3,2',6'-三-N-乙酰基庆大霉素C1a的摩尔比为1.5∶1~5∶1;浓硫酸与3,2',6'-三-N-乙酰基庆大霉素C1a的摩尔比为1∶20~1∶30。
3.根据权利要求2所述的1-N-乙基庆大霉素C1a的制备方法,其特征在于:步骤①中的六甲基二硅胺烷与3,2',6'-三-N-乙酰基庆大霉素C1a的摩尔比为4∶1。
4.根据权利要求1所述的1-N-乙基庆大霉素C1a的制备方法,其特征在于:步骤②的乙醛与步骤①中的3,2',6'-三-N-乙酰基庆大霉素C1a的摩尔比为0.5∶1~2∶1。
5.根据权利要求4所述的1-N-乙基庆大霉素C1a的制备方法,其特征在于:步骤②的乙醛与步骤①中的3,2',6'-三-N-乙酰基庆大霉素C1a的摩尔比为1∶1。
6.根据权利要求1所述的1-N-乙基庆大霉素C1a的制备方法,其特征在于:步骤②中所述的还原反应在硼酸缓冲液中进行,硼酸缓冲液的pH为9~10。
7.根据权利要求1所述的1-N-乙基庆大霉素C1a的制备方法,其特征在于:步骤④中所述的后处理是:将水解液通入弱酸性的树脂分离柱中上柱,然后用纯化水洗柱8h~9h,再用氨水溶液解析,至出口无旋光时换成乙醇水溶液解析,收集出口处纯度≥90%的有效组分,收集液经浓缩、干燥后得到1-N-乙基庆大霉素C1a。
8.根据权利要求7所述的1-N-乙基庆大霉素C1a的制备方法,其特征在于:步骤④中的氨水溶液的浓度为0.1mol/L~0.4mol/L。
9.根据权利要求7所述的1-N-乙基庆大霉素C1a的制备方法,其特征在于:步骤④中的乙醇水溶液的浓度为25wt%~40wt%。
10.根据权利要求1至9之一所述的1-N-乙基庆大霉素C1a的制备方法,其特征在于:步骤①中,在硅烷化反应完全后,蒸干三氯甲烷溶剂而得到3,2',6'-三-N-乙酰基-5,2”,4”-三(三甲基硅基)庆大霉素C1a;步骤②的N-烷基化反应是直接将步骤①得到的体系降温至20℃~25℃,加入二氯甲烷,继续降温至8℃~12℃,再加入乙醛,搅拌下发生生成3,2',6'-三-N-乙酰基-5,2”,4”-三(三甲基硅基)乙亚胺庆大霉素C1a的N-烷基化反应;步骤②中,在还原反应完全后,加热回流蒸干二氯甲烷溶剂而得到3,2',6'-三-N-乙酰基-5,2”,4”-三(三甲基硅基)-1-N-乙基庆大霉素C1a;步骤③的水解是直接对步骤②得到的体系加入NaOH溶液,加热回流对3,2',6'-三-N-乙酰基-5,2”,4”-三(三甲基硅基)-1-N-乙基庆大霉素C1a进行水解直至水解完全后,降温而得到1-N-乙基庆大霉素C1a的水解液。
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