[发明专利]基于FPGA实现Nandflash闪存控制器电路验证的平台系统及方法无效
申请号: | 201010133540.9 | 申请日: | 2010-03-26 |
公开(公告)号: | CN102201267A | 公开(公告)日: | 2011-09-28 |
发明(设计)人: | 王冬佳;张结华 | 申请(专利权)人: | 上海摩波彼克半导体有限公司 |
主分类号: | G11C29/56 | 分类号: | G11C29/56 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人: | 王洁;郑暄 |
地址: | 201204 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 fpga 实现 nandflash 闪存 控制器 电路 验证 平台 系统 方法 | ||
1.一种基于FPGA实现Nandflash闪存控制器电路验证的平台系统,包括测试计算机和承载有Nandflash闪存芯片的测试板,其特征在于,所述的平台系统中还包括测试仿真器和FPGA调试板,所述的FPGA调试板上承载有SOC芯片、FPGA芯片和数个Nandflash信号接口模块,所述的FPGA芯片中设置有总线转换电路模块和Nandflash控制器电路模块,所述的测试计算机依次通过所述的测试仿真器、SOC芯片、总线转换电路模块和Nandflash控制器电路模块分别与所述的各个Nandflash信号接口模块相连接,且每个Nandflash信号接口模块和对应的测试板相连接。
2.根据权利要求1所述的基于FPGA实现Nandflash闪存控制器电路验证的平台系统,其特征在于,所述的SOC芯片为内置有ARM处理器的SOC芯片。
3.根据权利要求2所述的基于FPGA实现Nandflash闪存控制器电路验证的平台系统,其特征在于,所述的SOC芯片为内置ARM926EJ_S处理器的SOC芯片。
4.根据权利要求2所述的基于FPGA实现Nandflash闪存控制器电路验证的平台系统,其特征在于,所述的总线转换电路模块为ARM转FPGA总线电路模块。
5.根据权利要求2所述的基于FPGA实现Nandflash闪存控制器电路验证的平台系统,其特征在于,所述的测试仿真器为ARM仿真器,且该ARM仿真器将测试计算机上的测试代码编译成所述的ARM处理器可识别的汇编指令。
6.根据权利要求5所述的基于FPGA实现Nandflash闪存控制器电路验证的平台系统,其特征在于,所述的测试代码为C语言编写的测试代码。
7.根据权利要求1所述的基于FPGA实现Nandflash闪存控制器电路验证的平台系统,其特征在于,所述的FPGA芯片为vitex-4系列FPGA芯片。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的基于FPGA实现Nandflash闪存控制器电路验证的平台系统,其特征在于,所述的Nandflash信号接口模块为Nandflash信号接口第一插槽,所述的测试板上设置有与该Nandflash信号接口第一插槽对应耦合的Nandflash信号接口第二插槽,所述的Nandflash信号接口第二插槽与所述的Nandflash闪存芯片相连接,且Nandflash信号接口第一插槽与对应的Nandflash信号接口第二插槽相耦合插接。
9.根据权利要求8所述的基于FPGA实现Nandflash闪存控制器电路验证的平台系统,其特征在于,所述的Nandflash信号接口第二插槽设置于测试板的承载有Nandflash闪存芯片的面上或者相对面上。
10.根据权利要求1至7中任一项所述的基于FPGA实现Nandflash闪存控制器电路验证的平台系统,其特征在于,所述的测试计算机通过USB连接线与所述的测试仿真器相连接。
11.根据权利要求1至7中任一项所述的基于FPGA实现Nandflash闪存控制器电路验证的平台系统,其特征在于,所述的测试仿真器通过仿真器连接线与所述的SOC芯片相连接。
12.一种利用权利要求1所述的平台系统实现Nandflash闪存控制器电路验证的方法,其特征在于,所述的方法包括以下步骤:
(1)将所述的测试计算机依次与所述的测试仿真器、SOC芯片进行连接,同时将所述的各个Nandflash信号接口模块和对应的测试板相连接;
(2)将所述的测试计算机、测试仿真器和FPGA调试板同时上电;
(3)生成实现总线转换电路模块及Nandflash控制器电路模块的烧录文件,并将该烧录文件烧写到所述的FPGA芯片内;
(4)所述的测试计算机通过预先编写的测试代码对所述的Nandflash控制器电路模块进行测试。
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