[发明专利]基于FPGA实现Nandflash闪存控制器电路验证的平台系统及方法无效

专利信息
申请号: 201010133540.9 申请日: 2010-03-26
公开(公告)号: CN102201267A 公开(公告)日: 2011-09-28
发明(设计)人: 王冬佳;张结华 申请(专利权)人: 上海摩波彼克半导体有限公司
主分类号: G11C29/56 分类号: G11C29/56
代理公司: 上海智信专利代理有限公司 31002 代理人: 王洁;郑暄
地址: 201204 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 基于 fpga 实现 nandflash 闪存 控制器 电路 验证 平台 系统 方法
【权利要求书】:

1.一种基于FPGA实现Nandflash闪存控制器电路验证的平台系统,包括测试计算机和承载有Nandflash闪存芯片的测试板,其特征在于,所述的平台系统中还包括测试仿真器和FPGA调试板,所述的FPGA调试板上承载有SOC芯片、FPGA芯片和数个Nandflash信号接口模块,所述的FPGA芯片中设置有总线转换电路模块和Nandflash控制器电路模块,所述的测试计算机依次通过所述的测试仿真器、SOC芯片、总线转换电路模块和Nandflash控制器电路模块分别与所述的各个Nandflash信号接口模块相连接,且每个Nandflash信号接口模块和对应的测试板相连接。

2.根据权利要求1所述的基于FPGA实现Nandflash闪存控制器电路验证的平台系统,其特征在于,所述的SOC芯片为内置有ARM处理器的SOC芯片。

3.根据权利要求2所述的基于FPGA实现Nandflash闪存控制器电路验证的平台系统,其特征在于,所述的SOC芯片为内置ARM926EJ_S处理器的SOC芯片。

4.根据权利要求2所述的基于FPGA实现Nandflash闪存控制器电路验证的平台系统,其特征在于,所述的总线转换电路模块为ARM转FPGA总线电路模块。

5.根据权利要求2所述的基于FPGA实现Nandflash闪存控制器电路验证的平台系统,其特征在于,所述的测试仿真器为ARM仿真器,且该ARM仿真器将测试计算机上的测试代码编译成所述的ARM处理器可识别的汇编指令。

6.根据权利要求5所述的基于FPGA实现Nandflash闪存控制器电路验证的平台系统,其特征在于,所述的测试代码为C语言编写的测试代码。

7.根据权利要求1所述的基于FPGA实现Nandflash闪存控制器电路验证的平台系统,其特征在于,所述的FPGA芯片为vitex-4系列FPGA芯片。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的基于FPGA实现Nandflash闪存控制器电路验证的平台系统,其特征在于,所述的Nandflash信号接口模块为Nandflash信号接口第一插槽,所述的测试板上设置有与该Nandflash信号接口第一插槽对应耦合的Nandflash信号接口第二插槽,所述的Nandflash信号接口第二插槽与所述的Nandflash闪存芯片相连接,且Nandflash信号接口第一插槽与对应的Nandflash信号接口第二插槽相耦合插接。

9.根据权利要求8所述的基于FPGA实现Nandflash闪存控制器电路验证的平台系统,其特征在于,所述的Nandflash信号接口第二插槽设置于测试板的承载有Nandflash闪存芯片的面上或者相对面上。

10.根据权利要求1至7中任一项所述的基于FPGA实现Nandflash闪存控制器电路验证的平台系统,其特征在于,所述的测试计算机通过USB连接线与所述的测试仿真器相连接。

11.根据权利要求1至7中任一项所述的基于FPGA实现Nandflash闪存控制器电路验证的平台系统,其特征在于,所述的测试仿真器通过仿真器连接线与所述的SOC芯片相连接。

12.一种利用权利要求1所述的平台系统实现Nandflash闪存控制器电路验证的方法,其特征在于,所述的方法包括以下步骤:

(1)将所述的测试计算机依次与所述的测试仿真器、SOC芯片进行连接,同时将所述的各个Nandflash信号接口模块和对应的测试板相连接;

(2)将所述的测试计算机、测试仿真器和FPGA调试板同时上电;

(3)生成实现总线转换电路模块及Nandflash控制器电路模块的烧录文件,并将该烧录文件烧写到所述的FPGA芯片内;

(4)所述的测试计算机通过预先编写的测试代码对所述的Nandflash控制器电路模块进行测试。

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