[发明专利]电子设备无效
申请号: | 201010134332.0 | 申请日: | 2010-03-11 |
公开(公告)号: | CN101853820A | 公开(公告)日: | 2010-10-06 |
发明(设计)人: | 本乡政纪;人见卓磨;伊藤秀树;山腰清;福山正美;高木秀树 | 申请(专利权)人: | 三洋电机株式会社;三洋电波工业株式会社 |
主分类号: | H01L23/367 | 分类号: | H01L23/367;H01L23/13;H01L33/64 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 刘建 |
地址: | 日本国大阪府守*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子设备 | ||
作为本专利申请主张优先权的基础的日本语专利申请第2009-085760号通过该引用被包含在公开中。
技术领域
本发明涉及具备配置在腔室内的电子设备元件的电子设备。
背景技术
以往以来,如图15所示,用于搭载发光设备元件的发光元件用封装构成为将由陶瓷材料构成的基体200和由陶瓷材料构成的框体300接合一体化,在框体300的内侧形成有容纳发光设备元件100的腔室3a。
在由陶瓷材料构成的基体200上,如图15所示可以形成导热通孔400,在基体上形成有导热通孔400的发光设备元件用封装中,可以将腔室3a内収容的发光设备元件100的热释放到外部。另外,导热通孔400通过在贯通了基体200的通孔中填充金属浆料等来构成。
通过导热通孔400从由陶瓷材料构成的基体200的上表面向下表面贯通,从而在导热通孔400向腔室3a内露出的发光设备元件用封装中,腔室3a内収容的发光设备元件100的热通过导热通孔400向基体200的下表面移动。
但是,对于以往的导热通孔,发光设备元件的放热性不充分,具有由热引起的发光设备元件的性能降低等的问题。此外,不仅仅是发光设备元件,在具备其他电子设备元件的电子设备中,也同样具有放热性不充分的问题。而且,在搭载电子设备元件的封装由陶瓷材料构成的情况下,还具有翘曲等的问题。
发明内容
因此,本发明的目的是在具备用于搭载发光设备元件或集成电路等电子设备元件的电子设备元件用封装的电子设备中,获得高放热性并且缓和封装的翘曲。
本发明涉及的第1电子设备具备:由陶瓷材料构成的基体;隔着由金属材料构成的第1传热层配置在所述基体的上表面的中央区域的电子设备元件;形成在所述基体的下表面的中央区域,由金属材料构成的第1放热层;配设在所述基体内,由金属材料构成,连结所述第1传热层和所述第1放热层的多个导热通孔;埋设在所述基体内,由金属材料构成,从所述基体的下表面中央区域的上方延伸到所述基体的下表面周边区域的上方并且与所述多个导热通孔交叉的第2传热层。
根据上述第1电子设备,不仅来自电子设备元件的热通过导热通孔从第1放热层放出,来自电子设备元件的热还通过导热通孔向第2传热层移动。由此,来自电子设备元件的热传向基体整体而从电子设备整体放出。
此外,在现有的电子设备中,由于第1传热层与基体的关系产生了翘曲。根据上述第1电子设备,通过在基体内设置第2传热层,能够调整电子设备的翘曲。
本发明涉及的第2电子设备根据上述第1电子设备,还具备:形成在所述基体的下表面周边区域,由金属材料构成的第2放热层;和埋设在所述基体内,由金属材料构成,连结所述第2传热层和所述第2放热层的多个第2导热通孔。
本发明涉及的第3电子设备根据上述第1或第2电子设备,所述第2传热层向所述基体的侧面延伸,其前端部在该侧面露出。
根据上述第3电子设备,通过第2传热层在基体侧面露出,能够更早的将热向基体外部放出。
本发明涉及的第4电子设备,根据上述第1至第3电子设备的任意一个,还具备配置在所述基体的上表面并由陶瓷材料构成的框体,所述框体具有由所述框体的内周面和所述基体的上表面构成的腔室,在该腔室内设置所述电子设备元件。
本发明涉及的第5电子设备根据上述第1至第4电子设备的任意一个,还具备:埋设在所述基体内,在所述第2传热层内从存在于所述基体的下表面周边区域的上方的部分向所述基体的下表面延伸的侧通孔。
附图说明
图1是本发明第1实施方式涉及的具备电子元件用封装的电子设备的立体图。
图2是用于说明陶瓷体形成工序的图,是在图1所示的A-A’线切断的电子元件用封装的剖面图。
图3是煅烧了陶瓷层叠体之后的电子元件用封装的剖面图。
图4是表示电子元件用封装中配置了电子元件的状态的剖面图。
图5是表示在电子元件用封装中用树脂覆盖了电子元件的状态的剖面图。
图6是用于说明本发明第2实施方式涉及的电子元件用封装的陶瓷体形成工序的图,是在与图1所示的A-A’线相同的线切断的剖面图。
图7是煅烧了陶瓷层叠体之后的电子元件用封装的剖面图。
图8是表示在电子元件用封装中配置了电子元件的状态的剖面图。
图9是表示在电子元件用封装的腔室中填充了树脂之后的状态的剖面图。
图10是表示第2实施方式的电极配置例的剖面图。
图11是表示在第3实施方式中的电子元件用封装的腔室中填充了树脂之后的状态的剖面图。
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