[发明专利]基于访问时间调整对非易失性半导体存储器的访问

权利要求书

1.一种非易失性半导体存储器，包括第一存储装置和控制电路，所述控制电路可操作用于：

向所述第一存储装置发出访问命令；

在状态延迟后向所述第一存储装置请求命令状态；

当所述命令状态指示所述第一存储装置已经完成所述命令时，测量所述存储装置的第一访问时间；以及

响应所述访问时间修改所述第一存储装置的访问序列。

2.根据权利要求1所述的非易失性半导体存储器，其中所述访问命令包括写命令和擦除命令中的一种。

3.根据权利要求1所述的非易失性半导体存储器，其中，所述控制电路可操作用于响应所述第一访问时间调整所述状态延迟来修改所述第一存储装置的所述访问序列。

4.根据权利要求3所述的非易失性半导体存储器，其中，所述控制电路进一步可操作用于调整所述状态延迟以降低对所述第一存储装置的所述命令状态的请求数量。

5.根据权利要求1所述的非易失性半导体存储器，其进一步包括第二存储装置，其中所述控制电路进一步可操作用于：

测量所述第二存储装置的第二访问时间；以及

响应所述第一访问时间和所述第二访问时间修改所述第一存储装置和所述第二存储装置的访问序列。

6.根据权利要求5所述的非易失性半导体存储器，其中，所述控制电路进一步可操作用于通过共享总线访问所述第一存储装置和所述第二存储装置。

7.根据权利要求6所述的非易失性半导体存储器，其中，所述控制电路进一步可操作用于通过修改所述控制电路在所述共享总线上向所述第一存储装置和所述第二存储装置发送命令的顺序来修改所述访问序列。

8.根据权利要求7所述的非易失性半导体存储器，其中，所述控制电路进一步可操作用于：

响应所述第一访问时间和第二访问时间第一次选择所述第一存储装置和所述第二存储装置之一；

向第一次选择的存储装置发送第一命令；

响应所述第一访问时间和第二访问时间第二次选择所述第一存储装置和所述第二存储装置之一；以及

向第一次选择的存储装置发送所述第一命令之后，向第二次选择的存储装置发送第二命令。

9.根据权利要求8所述的非易失性半导体存储器，其中，第一次选择的存储装置的访问时间比第二次选择的存储装置的访问时间短。

10.一种操作具有第一存储装置的非易失性半导体存储器的方法，该方法包括：

向所述第一存储装置发出访问命令；

在状态延迟后向所述第一存储装置请求命令状态；

当所述命令状态指示所述第一存储装置已经完成所述命令时，测量所述存储装置的第一访问时间；以及

响应所述访问时间修改所述第一存储装置的访问序列。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述访问命令包括写命令和擦除命令之一。

12.根据权利要求10所述的方法，其中，修改所述第一存储装置的访问序列包括响应所述第一访问时间调整所述状态延迟。

13.根据权利要求12所述的方法，其进一步包括调整所述状态延迟以减少向所述第一存储装置请求所述命令状态的请求数量。

14.根据权利要求10所述的方法，其中所述非易失性半导体存储器进一步包括第二存储装置，所述方法进一步包括：

测量所述第二存储装置的第二访问时间；以及

响应所述第一访问时间和所述第二访问时间修改所述第一存储装置和所述第二存储装置的访问序列。

15.根据权利要求14所述的方法，进一步包括通过共享总线访问所述第一存储装置和第二存储装置。

16.根据权利要求15所述的方法，进一步包括通过修改在所述共享总线上向所述第一存储装置和第二存储装置发送命令的顺序来修改所述访问序列。