[发明专利]一种有机电致发光显示器及其检测方法有效
申请号: | 201010135417.0 | 申请日: | 2010-03-16 |
公开(公告)号: | CN102194722A | 公开(公告)日: | 2011-09-21 |
发明(设计)人: | 邱勇;张明;吴伟力 | 申请(专利权)人: | 昆山维信诺显示技术有限公司;清华大学;北京维信诺科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/77;H01L27/32;H01L23/544 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 有机 电致发光 显示器 及其 检测 方法 | ||
技术领域
本发明涉及有机电致发光显示器及其检测方法,具体是指有机电致发光显示器在绝缘层和隔离柱制备中的检测方法。
背景技术
有机电致发光显示器(Organic Light Emitting Display,OLED)具有固态发光、宽视角、超薄、适用温度范围宽等优点。OLED显示器是现在和将来显示器发展的必然趋势。
OLED的制备方法包括基板清洗、辅助电极和阳极的制备、绝缘层和隔离柱制备、有机薄膜的制备、阴极制备等步骤。其中,制备的阳极为ITO(氧化铟锡)、或IZO(氧化铟锌)等金属氧化物。制备的绝缘层和隔离柱组成许多“田字格”,将每个像素与其四周相邻的像素隔开,其制备是在阳极(以ITO为例)上通过曝光/显影过程得到绝缘层和隔离柱,曝光/显影过程主要包括涂胶、曝光、显影等步骤。在曝光过程中,控制好曝光时间和曝光强度是该步骤的关键,在显影过程中,控制好显影时间和显影强度是该步骤的关键。接着制备有机薄膜层和阴极层。现有技术中,制备OLED绝缘层和隔离柱的过程对曝光和显影步骤控制不佳,如在曝光阶段容易出现绝缘材料曝光不足或显影阶段显影不足,使得曝光/显影部位仍有部分光刻胶没有充分曝光或溶蚀掉,继续附着在ITO上,阻碍有机薄膜层的光线从ITO发出,导致制备的OLED显示器面板通电后出现暗线、显示偏暗等现象。而现有技术中,由于在对绝缘层和隔离柱过程曝光和显影阶段光刻胶曝光显影不良产生的绝缘材料较薄,用肉眼和显微镜检测较为困难,不容易发现,而这些不良在通电后会出现暗线或显示偏暗的现象,导致显示面板无法正常显示,从而降低产品合格率,增加了制造成本。
技术方案
本发明的目的在于克服上述缺陷,提供一种OLED检测方法。
本发明的上述目的是通过如下技术方案予以实现的:
本发明提供一种OLED检测方法,包括以下步骤:
基板包括显示区域和非显示区域,在非显示区域制备检测片,所述检测片具有导电材料;
在显示区域和检测片的导电材料上涂绝缘材料,对所述显示区域和检测片进行曝光、显影;
检测所述检测片上是否具有绝缘材料。
其中,检测所述检测片上是否具有绝缘材料,具体为:
检测所述检测片的电阻值。
其中,所述显示区域上具有导电材料,所述检测片上的导电材料与显示区域的导电材料相同。
其中,所述导电材料为ITO或IZO。
其中,所述绝缘材料为光敏型绝缘材料,用于制备绝缘层或隔离柱。
还提供一种OLED,包括邦定区和OLED面板,所述OLED面板包括显示区域和非显示区域,其特征在于,所述非显示区域具有检测片,所述检测片上具有导电材料。
其中,所述显示区域包括阳极层、阴极层和有机层,所述检测片上的导电材料与阳极的材料相同。
其中,所述导电材料为ITO或IZO。
本发明提供的检测方法,对OLED绝缘层和隔离柱的曝光、显影过程进行检测,避免不良曝光、显影的基板无法检测而流到后续环节,导致最终制备的OLED无法使用。提高绝缘层和隔离柱制备过程中的合格率,节约成本。
附图说明
图1为本发明所述的具有一个检测片图形的掩膜板的结构示意图;
图2为本发明所述的具有多个检测片图形的掩膜板的结构示意图;
图3为本发明所述的具有阳极图形的掩膜板的结构示意图;
图4为本发明所述的制备好阳极和检测片的侧面结构示意图;
图5为本发明所述的制备好隔离柱和绝缘层51的侧面结构示意图;
图6为本发明所述的测试组3的结构的侧面结构示意图;
图7为本发明所述的具有阳极和一个检测片图形的掩膜板的结构示意图;
图8为本发明所述的具有阳极和多个检测片图形的掩膜板的结构示意图;
图9为本发明所述的具有检测片的OLED结构示意图。
具体实施方式
本发明是在ITO制备过程中,在基板的非显示区域设置检测片,用于对绝缘层和隔离柱的绝缘材料的显影检测。检测过程包括制备检测片,对曝光区域和检测片进行曝光/显影,检测检测片的阻值,如果阻值为无限大,则说明检测片上仍有绝缘材料,说明曝光/显影不完全,需要继续进行曝光/显影,如果阻值为定值,则说明检测片上的绝缘材料显影完全,测得的阻值为检测片的阻值。通常情况下,检测片的阻值为定值。
下面通过具体实施例对本发明作进一步说明。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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