[发明专利]发光器件、制造发光器件的方法以及发光装置

权利要求书

1.一种发光器件，包括：

导电衬底；

在所述导电衬底上的反射层；

在所述反射层上部分地设置的支撑层；

在所述支撑层的侧面处的欧姆接触层；和

在所述欧姆接触层和所述支撑层上的发光半导体层。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其中与所述反射层邻近的所述支撑层的部分宽于与所述发光半导体层邻近的所述支撑层的部分。

3.根据权利要求1所述的发光器件，其中与所述发光半导体层邻近的所述欧姆接触层的部分宽于与所述反射层邻近的所述欧姆接触层的部分。

4.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述支撑层设置在所述欧姆接触层的侧面处。

5.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述支撑层包括GaN或者Zn。

6.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述反射层的一部分设置在所述支撑层的侧面处。

7.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述支撑层具有约0.01μm～约0.5μm的厚度和约0.01μm～约100μm的宽度。

8.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述支撑层为不规则的多个。

9.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述反射层接触所述支撑层和所述欧姆接触层。

10.根据权利要求1所述的发光器件，还包括在所述反射层上的粘合层。

11.根据权利要求10所述的发光器件，其中所述粘合层设置在所述支撑层的下面和侧面处。

12.根据权利要求10所述的发光器件，其中所述粘合层接触所述欧姆接触层。

13.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述支撑层具有倾斜的侧表面。

14.根据权利要求1所述的发光器件，还包括在所述发光半导体层上的电极。

15.根据权利要求1所述的发光器件，还包括蚀刻保护层，所述蚀刻保护层的一部分设置于所述发光半导体层和所述导电衬底之间。

16.一种发光装置，包括：

主体；

在所述主体上的第一电极和第二电极；

在所述主体上的与所述第一电极和所述第二电极电连接的发光器件；和

包封所述发光器件的包封层，

其中所述发光器件包括：

导电衬底；

在所述导电衬底上的反射层；

在所述反射层上部分地设置的支撑层；

在所述支撑层的侧面处的欧姆接触层；和

在所述欧姆接触层和所述支撑层上的发光半导体层。

17.根据权利要求16所述的发光装置，其中与所述反射层邻近的所述支撑层的部分宽于与所述发光半导体层邻近的所述支撑层的部分。

18.根据权利要求16所述的发光装置，其中所述支撑层设置在所述欧姆接触层的侧面处。

19.根据权利要求16所述的发光装置，其中所述支撑层包括GaN或者Zn。

20.根据权利要求16所述的发光装置，其中所述支撑层具有约0.01μm～约0.5μm的厚度和约0.01μm～约100μm的宽度。

21.一种制造发光器件的方法，包括：

在生长衬底上形成包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层的发光半导体层；

在所述发光半导体层上部分地形成支撑层；

在所述支撑层之间的所述发光半导体层上形成欧姆接触层；

在所述欧姆接触层和所述支撑层上形成反射层；

在所述反射层上形成导电衬底；和

移除所述生长衬底并在所述第一导电型半导体层上形成电极层。