[发明专利]发光器件、制造发光器件的方法以及发光装置

说明书

相关申请

本申请要求2009年3月10日提交的韩国专利申请10-2009-0020132的优先权，通过引用将其全部内容并入本文。

技术领域

本发明涉及发光器件、制造该发光器件的方法以及发光装置。

背景技术

发光二极管(LED)是发光器件的典型例子。

LED具有包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层的发光半导体层，并且随着对其供电而从发光半导体层发光。

为了制造LED，发光半导体层在生长衬底例如蓝宝石上形成作为外延层，并且在该发光半导体层上形成欧姆接触层和反射层。在反射层上形成导电衬底，然后移除生长衬底以制造垂直型LED。

同时，因为LED在发光半导体层和欧姆接触层之间、或者欧姆接触层和反射层之间具有差的粘合力，所以在LED制造工艺期间可产生破裂或者剥离现象。

发明内容

实施方案提供一种具有新结构的发光器件、制造该发光器件的方法以及发光装置。

实施方案还提供一种在发光半导体层和欧姆接触层之间具有良好粘合力的发光器件、制造该发光器件的方法以及发光装置。

实施方案还提供一种在欧姆接触层和粘合层之间具有良好粘合力的发光器件、制造该发光器件的方法以及发光装置。

实施方案还提供一种在欧姆接触层和反射层之间具有良好粘合力的发光器件、制造该发光器件的方法以及发光装置。

在一个实施方案中，发光器件包括：导电衬底；在所述导电衬底上的反射层；部分地设置在所述反射层上的支撑层；在所述支撑层的侧面处设置的欧姆接触层；以及在所述欧姆接触层和所述支撑层上设置的发光半导体层。

在另一个实施方案中，发光装置包括：主体；在所述主体上的第一电极和第二电极；在所述主体上的与第一电极和第二电极电连接的发光器件；以及包封所述发光器件的包封层，其中所述发光器件包括：导电衬底；在所述导电衬底上的反射层；部分地设置在所述反射层上的支撑层；在所述支撑层的侧面处设置的欧姆接触层；以及在所述欧姆接触层和所述支撑层上设置的发光半导体层。

在另一个实施方案中，制造发光器件的方法包括：在生长衬底上形成包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层的发光半导体层；在所述发光半导体层上部分地形成支撑层；在所述支撑层之间的发光半导体层上形成欧姆接触层；在欧姆接触层和支撑层上形成反射层；在反射层上形成导电衬底；和移除生长衬底并在第一导电型半导体层上形成电极层。

一个或更多个实施方案的细节在附图和以下的详细说明中进行阐述。其他特征可通过说明书和附图以及权利要求而变得明显。

附图说明

图1～7是说明根据第一示例性实施方案的发光器件及其制造方法的视图。

图8是说明根据第二示例性实施方案的发光器件的视图。

图9是说明包括根据示例性实施方案的发光器件的发光装置的视图。

具体实施方式

现在将详细说明本发明的实施方案，结合附图对其实例进行说明。

在实施方案的描述中，应理解当层(或膜)、区域、图案或者结构称为在衬底、层(或膜)、区域、垫或者图案“上/下”时，其可以直接在所述衬底、层(或膜)、区域、垫或者图案上/下，或者也可存在中间层。此外，可基于附图参考每层的“上/下”。

在附图中，各元件的尺寸可进行放大以清楚地说明，因此各元件的尺寸可与其实际尺寸不同。

图1～7是说明根据第一示例性实施方案的发光器件及其制造方法的视图。

参考图1，在生长衬底1上形成包括缓冲层的未掺杂的GaN层2。在未掺杂的GaN层2上形成包括第一导电型半导体层3、有源层4和第二导电型半导体层5的发光半导体层。

例如，生长衬底1可为蓝宝石(Al₂O₃)、Si、SiC、GaAS、ZnO或者MgO衬底。

发光半导体层可为氮化物基半导体层。第一导电型半导体层3可为包括n型杂质的GaN基半导体层。例如，第一导电型半导体层3可为包括Si的GaN基半导体层。第二导电型半导体层5可为包括p型杂质的GaN基半导体层。例如，第二导电型半导体层5可为包括Mg的GaN基半导体层。有源层4可形成为具有单量子阱(SQW)结构或者多量子阱(MQW)结构。例如，有源层4可形成为具有InGaN阱层/GaN势垒层的堆叠结构。

在第二导电型半导体层5上形成掩模层6。掩模层6可形成为具有倾斜表面，使得其与第二导电型半导体层5邻近的底部宽于其顶部。