[发明专利]一种掺杂图案的制作方法

权利要求书

1.一种掺杂图案的制作方法，包含有：

提供一基底，该基底内形成有多个浅沟隔离，且这些浅沟隔离定义并电性隔离多个具有相同电性的有源区域；

在该基底上形成一图案化光阻，且该图案化光阻包含多个暴露区，暴露出这些有源区域与相邻有源区域间的这些浅沟隔离；以及

进行一离子注入工艺，透过该图案化光阻在该有源区域内形成多个掺杂图案。

2.如权利要求1所述的制作方法，其中形成这些浅沟隔离的步骤还包含：

提供一浅沟隔离定义图案，在该基底上定义多个浅沟隔离区域；以及

在这些浅沟隔离区域内分别形成该浅沟隔离。

3.如权利要求2所述的制作方法，其中形成该图案化光阻的步骤还包含：

提供一预定掺杂图案，该预定掺杂图案包含多个第一掺杂阻挡区与多个第一掺杂暴露区；

比对该预定掺杂图案与该浅沟隔离定义图案；

当相邻的第一掺杂暴露区中出现该浅沟隔离定义图案时合并这些第一掺杂暴露区，而形成一包含有多个第二掺杂暴露区与多个第二掺杂阻挡区的校正掺杂图案；以及

转移该校正掺杂图案至一光阻层上形成该图案化光阻。

4.如权利要求3所述的制作方法，其中该校正掺杂图案形成于一离子注入光掩模上。

5.如权利要求3所述的制作方法，其中该图案化光阻的这些暴露区分别对应于这些第二掺杂暴露区。

6.如权利要求3所述的制作方法，其中该图案化光阻还包含多个阻挡区，分别对应于该校正掺杂图案的这些第二掺杂阻挡区。

7.如权利要求1所述的制作方法，其中该离子注入工艺包含N型离子注入工艺或P型离子注入工艺。

8.如权利要求1所述的制作方法，其中该掺杂图案包含一有源区域掺杂图案。

9.一种掺杂图案的制作方法，包含有：

提供一基底，该基底内形成有多个浅沟隔离，且这些浅沟隔离定义并电性隔离多个具有相同电性的有源区域；

利用一导电层定义图案于这些有源区域内形成多个第一导电层图案与在部分浅沟隔离上形成多个第二导电层图案；

在该基底上形成一图案化光阻，该图案化光阻包含多个暴露区，暴露出这些有源区域、这些有源区域内的这些第一导电层图案、与部分相邻有源区域间的这些浅沟隔离；以及

进行一离子注入工艺，透过该图案化光阻于该有源区域内形成多个掺杂图案。

10.如权利要求9所述的制作方法，其中形成这些浅沟隔离的步骤还包含：

提供一浅沟隔离定义图案，在该基底上定义多个浅沟隔离区域；以及

在这些浅沟隔离区域内分别形成该浅沟隔离。

11.如权利要求10所述的制作方法，其中形成该图案化光阻的步骤还包含：

提供一预定掺杂图案，该预定掺杂图案包含多个第一掺杂阻挡区与多个第一掺杂暴露区；

比对该预定掺杂图案、该浅沟隔离定义图案与该导电层定义图案；

当相邻的第一掺杂暴露区中仅出现该浅沟隔离定义图案时合并这些第一掺杂暴露区，形成多个第二掺杂暴露区；以及

当相邻的第一掺杂暴露区中同时出现该浅沟隔离定义图案与该导电层定义图案时，形成多个第二掺杂阻挡区。

12.如权利要求11所述的制作方法，其中该图案化光阻的这些暴露区分别对应于这些第二掺杂暴露区。

13.如权利要求11所述的制作方法，其中该图案化光阻还包含多个阻挡区，分别对应于该校正掺杂图案的这些第二掺杂阻挡区。

14.如权利要求13所述的制作方法，其中这些阻挡区覆盖这些第二导电层图案与部分这些浅沟隔离。

15.如权利要求9所述的制作方法，其中该离子注入工艺包含N型离子注入工艺或P型离子注入工艺。

16.如权利要求9所述的制作方法，其中该掺杂图案包含一轻掺杂漏极掺杂图案或一源极/漏极掺杂图案。