[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一半导体芯片；

第二半导体芯片；以及

用于连接所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片的第一和第二接合线，

其中，所述第一半导体芯片包括：

形成在第一衬底上方的第一传送电路和第一接收电路；

形成在所述第一衬底上方的第一多层互连层；

设置在所述第一多层互连层中的第一电感器；以及

设置在所述第一多层互连层中并布置在所述第一电感器之上的第二电感器，

所述第二半导体芯片包括：

形成在第二衬底上方的第二传送电路和第二接收电路；

形成在所述第二衬底上方的第二多层互连层；

设置在所述第二多层互连层中的第三电感器；以及

设置在所述第二多层互连层中并布置在所述第三电感器之上的第四电感器，

所述第一电感器和所述第二电感器中的一个电感器连接至所述第一传送电路和所述第二传送电路中的一个传送电路，

所述第三电感器和所述第四电感器中的一个电感器连接至所述第一传送电路和所述第二传送电路中的另一个传送电路，

在所述第一电感器和所述第二电感器中的一个电感器连接至所述第一传送电路的情况下，所述第一电感器和所述第二电感器中的另一个电感器连接至所述第二接收电路，

在所述第一电感器和所述第二电感器中的一个电感器连接至所述第二传送电路的情况下，所述另一个电感器连接至所述第一接收电路，

在所述第三电感器和所述第四电感器中的一个电感器连接至所述第一传送电路的情况下，所述第三电感器和所述第四电感器中的另一个电感器连接至所述第二接收电路，以及

在所述第三电感器和所述第四电感器中的一个电感器连接至所述第二传送电路的情况下，所述另一个电感器连接至所述第一接收电路。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述第一电感器通过所述第一多层互连层连接至所述第一传送电路，

所述第二电感器通过所述第一接合线和所述第二多层互连层连接至所述第二接收电路，

所述第三电感器通过所述第二多层互连层连接至所述第二传送电路，以及

所述第四电感器通过所述第二接合线和所述第一多层互连层而连接至所述第一接收电路。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述第一电感器通过所述第一多层互连层连接至所述第一接收电路，

所述第二电感器通过所述第一接合线和所述第二多层互连层而连接至所述第二传送电路，

所述第三电感器通过所述第二多层互连层而连接至所述第二接收电路，以及

所述第四电感器通过所述第二接合线和所述第一多层互连层而连接至所述第一传送电路。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，

其中，所述第一电感器形成在所述第一多层互连层的第n₁个互连层中，以及

所述第三电感器形成在所述第二多层互连层的第n₂个互连层中，其中n₁＝n₂。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，

其中，所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片由通过相同的制造工艺制造的晶片分割而成。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述第一半导体芯片包括多个第一电感器和多个第二电感器，并且所述第一电感器的数量等于所述第二电感器的数量，

所述第二半导体芯片包括多个第三电感器和多个第四电感器，并且所述第三电感器的数量和所述第四电感器的数量中的每一个数量等于所述第一电感器的数量，以及

所述第一接合线的数量和所述第二接合线的数量中的每一个数量等于所述第一电感器的数量。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，

其中，输入至所述第一电感器中的一个电感器的电信号的相位与输入至紧邻该一个第一电感器布置的另一第一电感器的电信号的相位相反，以及

输入至所述第三电感器中的一个电感器的电信号的相位与输入至紧邻该一个第三电感器设置的另一第三电感器的电信号的相位相反。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，通过等于或超过t₁次来按顺序地交替地层压绝缘层和互连层，形成所述第一多层互连层，其中t₁＞3，

所述第一电感器设置在所述第一多层互连层的所述第n₁个互连层中，

所述第二电感器设置在所述第一多层互连层的第m₁个互连层中，其中t₁≥m₁≥n₁+2，

通过等于或超过t₂次来按顺序地交替地层压绝缘层和互连层，形成所述第二多层互连层，其中t₂＞3，

所述第一电感器设置在所述第二多层互连层的所述第n₂个互连层中，以及

所述第二电感器设置在所述第二多层互连层的第m₂个互连层中，其中t₂≥m₂≥n₂+2。