[发明专利]半导体器件

说明书

相关申请的交叉引用

本申请基于日本专利申请No.2009-061269，通过引用，将其内容合并于此。

技术领域

本发明涉及一种半导体器件，其能够在具有不同电位的电信号输入的两个电路之间传送电信号。

背景技术

当在具有不同电位的电信号输入的两个电路之间传送电信号时，通常会使用到光电耦合器。光电耦合器包括诸如发光二极管的发光元件和诸如光电晶体管的受光元件。发光元件将输入的电信号转换成光，而受光元件将光转换成电信号。由此，对电信号进行传送。

然而，由于光电耦合器包括发光元件和受光元件，所以难于减小光电耦合器的尺寸。当电信号的频率高时，难以跟踪电信号。作为解决这些问题的技术，例如，美国专利No.7075329公开了一种结构，在该结构中，在同一衬底上形成两个电感器(inductor)，并将该两个电感器彼此电感地耦合，以传送电信号。在美国专利No.7075329中，当传送两种电信号时，在同一衬底上形成四个电感器，并将两组电感器彼此电感地耦合。此外，在日本公开专利申请A-H08-222439中，公布了一种基于在半导体衬底表面上形成的方形螺旋线圈的变压器。方形螺旋线圈的第一线圈和方形螺旋线圈的第二线圈具有相应的线圈图案，所述相应的线圈图案以它们之间插入有绝缘层的方式彼此几乎垂直对置，并且所述相应的线圈图案几乎重叠在相同的平面位置中。

当通过电感器之间的电感耦合来传送两种电信号时，需要两组彼此电感耦合的电感器。当两组电感器之间的距离短时，电感器彼此干扰，并且在电信号中可能产生噪声。

发明内容

在一个实施例中，提供一种半导体器件，包括：第一半导体芯片；第二半导体芯片；和使第一半导体芯片与第二半导体芯片连接的第一与第二接合线。第一半导体芯片包括：第一传送电路和第一接收电路，该第一传送电路和第一接收电路形成在第一衬底上方；第一多层互连层，其形成在第一衬底上方；第一电感器，其设置在第一多层互连层中；以及第二电感器，其设置在第一多层互连层中并设置在第一电感器之上。第二半导体芯片包括：第二传送电路和第二接收电路，该第二传送电路和第二接收电路形成在第二衬底上方；第二多层互连层，其形成在第二衬底上方；第三电感器，其设置在第二多层互连层中；和第四电感器，其设置在第二多层互连层中并设置在第三电感器之上。第一电感器和第二电感器中的一个连接至第一传送电路和第二传送电路中的一个。第三电感器和第四电感器中的一个连接至第一传送电路和第二传送电路中的另一个传送电路。在第一电感器和第二电感器中的一个连接至第一传送电路的情况下，第一电感器和第二电感器中的另一电感器连接至第二接收电路。在第一电感器和第二电感器中的一个连接至第二传送电路的情况下，另一电感器连接至第一接收电路。在第三电感器和第四电感器中的一个连接至第一传送电路的情况下，第三电感器和第四电感器中的另一电感器连接至第二接收电路。在第三电感器和第四电感器中的一个连接至第二传送电路的情况下，另一电感器连接至第一接收电路。

根据本发明的上述实施例，第一电信号可通过第一电感器与第二电感器之间的电感耦合，而从第一半导体芯片与第二半导体芯片中的一个传送至另一个半导体芯片，而第二电信号可通过第三电感器与第四电感器之间的电感耦合从所述另一个半导体芯片传送至所述一个半导体芯片。第一电感器和第二电感器形成在第一半导体芯片中，而第三电感器和第四电感器形成在第二半导体芯片中。因此，可增加从第一电感器和第二电感器到第三电感器和第四电感器的距离。结果，可防止(第一电感器和第二电感器之间的)电感耦合与(第三电感器和第四电感器之间的)电感耦合之间的干扰。

根据本发明的上述实施例，可增加从第一电感器和第二电感器到第三电感器和第四电感器的距离。结果，可防止(第一电感器和第二电感器之间的)电感耦合与(第三电感器和第四电感器之间的)电感耦合之间的干扰。

附图说明

结合附图，从以下的某些优选实施例的说明中，本发明的以上及其它的目的、优点和特征将而变得更加明显，其中：

图1是示意性示出根据本发明第一实施例的半导体器件的结构的横截面图；

图2是示出在图1中示出的半导体器件的平面图；

图3是示出在图1和2中示出的半导体器件的电路图；

图4是示出根据第一实施例的半导体器件的变型的结构的电路图；

图5是示出第一半导体芯片的结构的横截面图；

图6是示意性示出根据本发明第二实施例的半导体器件的结构的横截面图；

图7是示出在图6中示出的半导体器件的平面图；