[发明专利]MgAlON透明陶瓷的无压烧结制备方法有效
申请号: | 201010137522.8 | 申请日: | 2010-03-30 |
公开(公告)号: | CN101817683A | 公开(公告)日: | 2010-09-01 |
发明(设计)人: | 王皓;商青琳;王为民;傅正义;王玉成;张清杰 | 申请(专利权)人: | 武汉理工大学 |
主分类号: | C04B35/58 | 分类号: | C04B35/58;C04B35/622 |
代理公司: | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人: | 唐万荣 |
地址: | 430070 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | mgalon 透明 陶瓷 烧结 制备 方法 | ||
1.MgAlON透明陶瓷的无压烧结制备方法,其特征在于它包括如下步骤:
1)MgAlON透明陶瓷粉末的制备:
①按α-氧化铝粉末、氮化铝粉末和氧化镁粉末所占质量百分比为:α-氧化铝粉末 76.45wt%~88.77wt%、氮化铝粉末3.79wt%~18.53wt%、氧化镁粉末4wt%~10wt%,将α-氧 化铝粉末、氮化铝粉末和氧化镁粉末混合,得到混合粉料A;按混合粉料A与无水乙醇的配 比为100g∶200mL~100g∶300mL,将混合粉料A分散于无水乙醇中,并球磨不少于24小时, 得到浆料A;
所述的α-氧化铝粉末的纯度大于99.5wt%,平均粒径小于或等于1μm,所含金属杂质 的浓度低于500ppm;
②将浆料A干燥,得到混合物A;
③将干燥后的混合物A置于坩埚中,坩埚置于石墨反应器中,石墨反应器置于大电流反 应合成装置中,大电流反应合成装置内充有氮气或含氮混合气体,所充气体压力不大于 0.05MPa;对石墨反应器直接施加大电流,以100℃~400℃的升温速度加热到1400℃~ 1700℃,保温时间为0~20min,自然冷却后,得到MgAlON透明陶瓷粉末;
2)按MgAlON透明陶瓷粉末、氟化物所占质量百分比为:MgAlON透明陶瓷粉末95~ 99.9wt%、氟化物0.1~5wt%,将MgAlON透明陶瓷粉末和氟化物混合,得到混合粉末B;按混 合粉末B与无水乙醇的配比为100g∶(50~100)mL,将混合粉末B分散于无水乙醇中并球磨, 得到浆料B;
3)将浆料B干燥,得到混合物B;
4)将混合物B在常温下采用轴向模压压制成型、再经冷等静压压制后,获得陶瓷素坯;
5)将陶瓷素坯置于坩埚内,坩埚置于无压烧结炉中,以流动氮气保护、1~20℃/min的 升温速率加热到1750~1950℃,保温5~30h,自然冷却后得到MgAlON烧结体;烧结体经过 研磨、抛光后,得到MgAlON透明陶瓷。
2.根据权利要求1所述的MgAlON透明陶瓷的无压烧结制备方法,其特征在于:所述的氮 化铝粉末的纯度大于98wt%,平均粒径小于或等于200nm,所含金属杂质的浓度低于5000ppm。
3.根据权利要求1所述的MgAlON透明陶瓷的无压烧结制备方法,其特征在于:所述的氧 化镁的纯度为99.95wt%,平均粒径在2μm以下。
4.根据权利要求1所述的MgAlON透明陶瓷的无压烧结制备方法,其特征在于:所述的氟 化物为MgF2、CaF2、LiF或YF3;所述的氟化物的质量纯度大于99%,平均粒径小于2μm。
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