[发明专利]一种纳米管道的封装方法无效
申请号: | 201010138060.1 | 申请日: | 2010-04-02 |
公开(公告)号: | CN102211007A | 公开(公告)日: | 2011-10-12 |
发明(设计)人: | 焦念东;王栋;董再励 | 申请(专利权)人: | 中国科学院沈阳自动化研究所 |
主分类号: | B01J19/00 | 分类号: | B01J19/00;C03C27/00;B81C3/00 |
代理公司: | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人: | 俞鲁江 |
地址: | 110116 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 纳米 管道 封装 方法 | ||
技术领域
本发明涉及纳米技术领域,具体是一种纳米管道的封装方法。
背景技术
近年来,微流控芯片(Microfluidic chip)技术在疾病诊断、药物筛选、环境检测等领域的研究与应用日益广泛,在降低生物试剂成本、提高效率、改善分析精度,提高生物学、医学研究水平等方面起到了重要作用。随着技术的发展,生物医学研究与应用已开始在分子、DNA、蛋白质层次展开,微流控技术已难以满足在分子水平上对样品进行更小尺度、更小剂量、更高灵敏度的检测分析等需求,因此更小尺度的芯片技术——“纳流控”开始成为新的关注热点。
纳流管道是指尺寸处于原子或分子量级的微小通道,至少有一维尺寸在纳米级。由于可达到超高分辨率和超高灵敏度,纳流管道在流体特性分析、单分子分析、超高速核酸分子测序、分子筛、生物膜离子通道模拟、药物疏运、电池、纳控晶体管等领域显示出重要的潜在应用前景。
封装技术是纳米管道制作过程中要解决的难点问题之一。在加工有纳米沟道的Si基片上面覆盖一层玻璃,并实现两者的有效封装,才能最终完成纳米管道的制作。在以往的纳米管道封装中,曾采用溅射的方法,但采用这种方法需要真空环境及复杂的设备,实现困难。
发明内容
为解决上述问题,本发明的目的是提供一种带有纳米管道的Si基片与玻璃之间的一种封装方法。
本发明技术方案为:
一种纳米管道的封装方法,将洗净后的Si基片与富含钠离子的玻璃片叠放在一起,加热至430~470摄氏度,并在玻璃片和Si基片上施加850V~950V的直流电压,Si基片为正极,玻璃片为负极。
优选方案为:加热至450摄氏度;在玻璃片和Si基片上施加900V的直流电压;所述玻璃片为富含钠离子的玻璃。
本发明原理是:在电压作用时,玻璃中的Na+将向负极方向漂移,在紧邻硅片的玻璃表面形成耗尽层,耗尽层宽度约为几微米。耗尽层带有负电荷,硅片带正电荷,硅片和玻璃之间存在较大的静电引力,使二者紧密接触,去掉电压后该电场也不会消失。另外,在比较高的温度下,紧密接触的硅/玻璃界面会发生化学反应,形成牢固的化学键,如Si-O-Si键等。
本发明具有如下优点:
工艺和设备简单,不需要特殊环境和复杂,且不使用任何粘合剂;
结合面内部应力小,由于使用的玻璃是一种富含阳离子的玻璃,其膨胀系统与硅相近,避免封装之后结合面热应力过大;
结合强度高,可以达到材料本身的强度。
附图说明
图1为本发明原理图。
具体实施方式
下面结合附图具体说明本发明。
实施例1:如图1所示,本发明提供一种纳米管道的封装方法,将需要封装的带有纳米管道6的Si基片3、玻璃片2清洗干净,跟金属片4一起放置在加热平台5上加热至430摄氏度,在Si基片3和玻璃片2之间施力900V的直流电压,其中Si基片3放置在金属片4上,金属片4接电源正极,导电棒1接电源负极与玻璃片2点接触。加热5分钟之后,会在Si基片和玻璃片之间形成一个牢固的结合面,从而完成Si基片上纳米管道的封装。本实施例中玻璃片2可使用厦门福芯微电子科技有限公司生产的Pyrex7740玻璃,该玻璃富含钠离子。
实施例2:本实施例与实施例1的区别为:加热温度为450摄氏度,加热时间为3分钟,在Si基片和玻璃之间施加850V的直流电压,其他条件与实施例1相同。
实施例3:本实施例与实施例1的区别为:加热温度为470摄氏度,加热时间为3分钟,在Si基片和玻璃之间施加950V的直流电压,其他条件与实施例1相同。
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